适用范围：本文件描述了逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件(以下简称器件)的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。 本文件适用于逆导型IGBT器件的热阻测试。

适用范围：本文件确立了基于失效物理的电子元器件故障树建树方法及故障树分析程序。描述了以故障树为载体的电子元器件故障信息库构建方法。 本文件适用于电子元器件在设计、研制、生产和使用阶段进行故障树建造和失效路径分析，以及电子元器件在设计和应用阶段的潜在失效问题识别，其结果可用于电子元器件的质量归零问题分析、可靠性设计分析和应用风险分析。 本文件方法适用于半导体分立器件、半导体集成电路、混合集成电路、机电元件、印制电路板等电子元器件。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级智能功率模块（Intelligent power module）的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的IPM的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。 本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价；此烧结体不包含烧结件的被连接件（如芯片）、连接基体。 本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试，不适用于薄膜样品方块电阻的测试; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。电阻率是表示材料导电能力的关键物理量。作为材料的本征参数，电阻率与材料大小和形状无直接关系，如银电阻率为1.65 ×10-6Ω?cm，铜电阻率为1.75 ×10-6Ω?cm。对于微纳米金属烧结技术制备的烧结体的电阻率，一般情况下是对应金属体材料电阻率的数倍；采用不同材料、不同工艺下的微纳米金属烧结体，往往会形成微观下不同尺寸、不同数量、不同致密度的孔隙结构，从而影响其电阻率性能。目前，新型的微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未对该技术制备的烧结体制定专门的电阻率测试方法标准。测试仪器品牌的不同，同时，样品规格、测试条件、测试步骤等的限定各有不同，这使得行业内无法高效可靠的对不同烧结膏体的电性能进行统一的比较。因此，有必要根据实际需求，尽快制定相应关键性能参数的术语标准和测试标准。本文件采用了与T/CASA020《微纳米金属烧结体热导率试验方法：闪光法》统一尺寸的样品，并以凯尔文电桥原理的四探针法测定，避免测量中引线电阻、接触电阻的干扰，以保证微纳金属烧结体的小电阻率测量值情况下的准确性、可对比性

适用范围：范围:本文件规定了微纳米金属烧结连接件剪切强度的测试方法。 本文件适用于微纳米金属烧结连接件剪切强度的测定和失效模式判定（如果出现失效），用于微纳米金属材料的测试评价及相关领域的从业者; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升。剪切强度作为微纳米金属烧结件主要的性能指标之一，其测试方法广受关注。因微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未针对使用该技术制备的烧结件制定专门的的剪切强度测试方法标准。传统焊料剪切强度较低，其测试方法标准和强度判定规则不再适用。同时，因行业内各单位的测试仪器型号不同，样品规格、测试条件、操作步骤等条件也各有不同，这使得产业内从业人员无法在统一的条件下比较微纳米金属烧结件的剪切强度性能。希望借此标准的制定，有效规范行业内测试方法，使得各测试参数可有效比对，助力微纳金属烧结技术的产业化发展

适用范围：范围:本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。 本方法适用于微纳米金属烧结体，不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。 本方法测试的是样品在室温条件下的热导率值。 需注意的是，本方法适用于从样品正面到样品背面方向（即纵向方向）的热导率的测量，该方向与器件封装样品的传热方向相同; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。热导率，又称导热系数或导热率，是表示材料热传导能力大小的物理量。作为材料的本征参数，热导率与材料大小和形状无直接关系，但受材料种类、制备工艺和微观结构的影响。对于微纳米金属烧结技术制备的连接层，采用不同材料和工艺，往往会造成微观下不同尺寸和数量的观孔隙结构，从而影响其导热性能。目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，热导率测试方法业内尚无统一标准。通过行业调研发现，产业链中原材料提供商、研发单位、终端用户等各个环节使用的热导率测试方案和样品规格差异较大，这给从业者技术交流、样品验证和质量评定制造了极大困难。因此，有必要根据实际需求，尽快制定统一的热导率性能测试标准，统一行业术语，从而方便业内对微纳米金属烧结样品的测试评定。本文件采用了闪光法测定微纳米金属烧结体样品热扩散系数，再利用材料比热容、体积密度参数，由公式求出材料导热系数。闪光法测定热扩散系数测试方法由于其测定范围广、速度快、样品制备简易、适用多种气氛、操作简便等特点，目前已在各行各业广泛应用。材料比热容可通过查找参考资料获得，或使用比较法实验测得。材料体积密度可按照相关标准测定。本文件相较于GB/T 22588-2008，对样品规格、测试条件、测试步骤进行了详细约束

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率模块的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基功率模块的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了车规级半导体功率器件的测试认证要求。 本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基半导体功率器件的测试认证; 主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率器件的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基半导体功率器件的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。 本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件; 主要技术内容:本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验电路6 设备要求7 试验条件8 试验步骤9 失效判据10 试验时间认定11 试验报告

适用范围：范围:本文件规定了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性的试验项目、试验条件以及试验方法等技术要求。 本文件适用于柔性直流换流阀和高压直流断路器用压接型与焊接型IGBT模块的生产、检验、交付使用; 主要技术内容:本标准适用于柔性直流输电用IGBT模块，其它新型IGBT器件如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等器件也可参照此标准。本标准介绍了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性试验规范的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、试验项目、试验、接收判据等技术内容。本标准考虑了柔性直流输电用IGBT模块工况的特殊性，对试验条件与程序进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决IGBT模块通过实际运行检验性能的周期长、风险大、成本高等问题，为柔性直流输电用IGBT模块的应用可靠性试验提供了技术指导。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验项目6 试验6.1 长时间双脉冲试验6.2 重复安全工作区试验6.3 二极管多周波浪涌电流试验6.4 IGBT饱和区浪涌电流试验7 接收判据

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验方法。本文件还给出了车用宽禁带半导体器件，如碳化硅基场效应晶体管器件的特殊试验要求。本文件适用于功率半导体器件（分立器件或模块），包括但不限于绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和二极管器件。本文件可为电动汽车用功率半导体器件的可靠性型式试验及可靠性的设计与检验提供指南

适用范围：范围:本文件适用于驱动电流大于1A，具有内置或外置隔离的供电通道和隔离的驱动信号传输通道，可以控制IGBT开关的隔离型IGBT驱动器; 主要技术内容:本文件涉及IGBT驱动器的技术术语定义、关键技术指标规范、主要技术指标的试验方法等内容

适用范围：主要技术内容:本文件规定了二极管扩散片硼扩散液态源配方的术语和定义、试剂和材料、仪器和设备、三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液配制、硝酸铝/乙二醇乙醚溶液配制和硼扩散液态源配制等内容。本文件适用于二极管扩散片硼扩散液态源的配制

适用范围：主要技术内容:本文件规定了三相桥式整流模块的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于由六个整流管管芯组成，按壳温额定MDS30～MDS300型三相桥式整流模块(以下简称模块)

适用范围：范围:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验 方法。本文件还规定了车用宽禁带功率半导体器件的特殊试验要求。 本文件适用于非绝缘型功率半导体器件和绝缘型功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体 管、金属氧化物场效应晶体管和二极管器件及模块。 本文件提供了对电动汽车用功率半导体器件进行可靠性型式试验及可靠性设计与检验的指南; 主要技术内容:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验 方法。本文件还规定了车用宽禁带功率半导体器件的特殊试验要求。 本文件适用于非绝缘型功率半导体器件和绝缘型功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体 管、金属氧化物场效应晶体管和二极管器件及模块。 本文件提供了对电动汽车用功率半导体器件进行可靠性型式试验及可靠性设计与检验的指南

适用范围：主要技术内容:本文件规定了风电变流器用液冷散热器的术语和定义、型号、尺寸及使用条件、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、合格证、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于模块化安装的风电变流器用，热阻在0.01 ℃/W至0.001 ℃/W的液冷散热器（以下简称散热器）

适用范围：主要技术内容:本标准规定了二极管扩散片的术语和定义、产品分类及型号和研发程序等内容。本标准适用于二极管扩散片产品的设计、开发及生产

适用范围：主要技术内容:本标准规定了二极管扩散片常规电性的相关术语和定义，规定了成品二极管的前段流程即扩散片流程的常规参数执行标准。本标准适用于二极管扩散厂家，包含了常规电性：反向击穿电压、正向导通压降、反向恢复时间、反向漏电流、扩散片芯片厚度

适用范围：主要技术内容:随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚无针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiC MOSFET模块的统一指导性文件，影响了SiC MOSFET模块在电动汽车行业的通用化。本规范针对电动汽车用的SiC MOSFET模块，从性能参数、评测程序等方面对SiC MOSFET模块进行了规范，可以用于电动汽车行业对SiC MOSFET模块的初步评价

适用范围：主要技术内容:本标准规定了金属氧化物半导体气体传感器（以下简称“气体传感器”）的术语、符号及定义、型号、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志及贮存。本标准适用于基于电阻式金属氧化物半导体原理的气体传感器