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GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

GB/T 41033-2021 Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

国家标准 中文简体 现行 页数：18页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41033-2021
相关服务
购买纸质版 商用授权
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
V29 航天用液压元件与附件
国际标准分类号（ICS）
49.035 航空航天制造用零部件
发布日期
2021-12-31
实施日期
2022-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)
适用范围
本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。
可选服务
1，提供正版标准批量采购服务，为企业合规性保驾护航，提供标准文件翻译服务，专家翻译，权威可靠
2，标准数据定制化，可定制企业云端标准数据库，为企业提供标准查询下载以及更新推送服务，实时了解标准时效更新动态
3，标准时效性核查服务，依托最新最全的标准数据库为您提供在线标准时效性核查服务，并开具权威性的标准时效性核查报告（点击查看详情）
4，服务定制咨询联系电话：15102855502（微信同号），QQ：469517676

发布历史

文前页预览

GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求-第1页
GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求-第2页
GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求-第3页

研制信息

起草单位：
中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所
起草人：
刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉
出版信息：
页数：18页 | 字数：37 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS49.035

CCSV29

中华人民共和国国家标准

/—

GBT410332021

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

DesinreuirementsofradiationhardeninforCMOSIC

gqg

2021-12-31发布2022-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT410332021

目次

前言…………………………Ⅰ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

、………………………

3术语定义和缩略语1

3.1术语和定义…………………………1

3.2缩略语………………2

4设计流程…………………2

5抗辐射加固设计要求……………………3

5.1抗总剂量辐射加固设计原则与要求………………3

5.2抗单粒子辐射加固设计原则与要求………………7

6集成电路辐射效应建模与仿真要求……………………10

6.1集成电路辐射效应建模与仿真一般要求…………10

6.2集成电路辐射效应建模与仿真要求………………10

6.3集成电路辐

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