GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
GB/T 41033-2021 Design requirements of radiation hardening for CMOS IC
国家标准
中文简体
现行
页数：18页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 41033-2021
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2021-12-31
实施日期
2022-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)
适用范围
本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。
发布历史
-
2021年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所
- 起草人：
- 刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉
- 出版信息：
- 页数：18页 | 字数：37 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS49.035
CCSV29
中华人民共和国国家标准
/—
GBT410332021
CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
DesinreuirementsofradiationhardeninforCMOSIC
gqg
2021-12-31发布2022-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT410332021
目次
前言…………………………Ⅰ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
、………………………
3术语定义和缩略语1
3.1术语和定义…………………………1
3.2缩略语………………2
4设计流程…………………2
5抗辐射加固设计要求……………………3
5.1抗总剂量辐射加固设计原则与要求………………3
5.2抗单粒子辐射加固设计原则与要求………………7
6集成电路辐射效应建模与仿真要求……………………10
6.1集成电路辐射效应建模与仿真一般要求…………10
6.2集成电路辐射效应建模与仿真要求………………10
6.3集成电路辐
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