基本信息
发布历史
-
2013年12月
研制信息
- 起草单位:
- 厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心
- 起草人:
- 蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政
- 出版信息:
- 页数:12页 | 字数:- | 开本: -
内容描述
ICS31.260
L45
DB35
福建省地方标准
DB35/T1370—2013
发光二极管芯片点测方法
Probetestmethodforlightemittingdiodechips
2013-12-04发布2014-03-01实施
福建省质量技术监督局发布
DB35/T1370—2013
目次
前言...............................................................................III
1范围..............................................................................1
2规范性引用文件....................................................................1
3术语和定义........................................................................1
4芯片点测条件及步骤................................................................2
4.1点测条件......................................................................2
4.1.1试验条件..................................................................2
4.1.2点测仪器..................................................................3
4.1.3点测芯片状态..............................................................3
4.1.4点亮条件..................................................................3
4.1.5驱动方式..................................................................5
4.2点测步骤......................................................................5
5电参数点测........................................................................5
5.1正向电压......................................................................5
5.2反向电压......................................................................5
5.3反向电流......................................................................5
6光参数点测........................................................................5
6.1发光强度......................................................................5
6.2辐射功率......................................................................5
6.3峰值发射波长、光谱带宽、相对光谱功率分布和重心波长............................6
6.4主波长和刺激纯度..............................................................6
7静电放电敏感性点测................................................................6
7.1人体模式的静电放电敏感性......................................................6
7.2机器模式的静电放电敏感性......................................................6
参考文献....
定制服务
推荐标准
- GB/T 44375-2024 300 mm半导体设备装载端口要求 2024-08-23
- GB/T 44356-2024 压铸机锁模力 测试方法 2024-08-23
- GB/T 44339-2024 大宗粮食收储信息管理技术通则 2024-08-23
- GB/T 16439-2024 交流伺服系统通用技术规范 2024-08-23
- GB/T 13537-2024 电子类家用电器用电动机通用技术规范 2024-08-23
- GB/T 17948.4-2024 旋转电机 绝缘结构功能性评定(Ⅱ型) 成型绕组试验规程 电气耐久性评定 2024-08-23
- GB/T 44411-2024 机动车检验设备及场地附着系数检测方法 2024-08-23
- GB/T 7341.3-2024 电声学 测听设备 第3部分:短时程测试信号 2024-08-23
- GB/T 44424-2024 助行手推车 要求和测试方法 2024-08-23
- GB/T 44439-2024 塑料管材和管件 电熔熔接自动识别系统 2024-08-23