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GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法

GB/T 33763-2017 Test method for dislocation density of sapphire single crystal

国家标准 中文简体 现行 页数：6页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 33763-2017
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H25 金属化学性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
77.040 金属材料试验
发布日期
2017-05-31
实施日期
2017-12-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。
本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2～100 000个/cm2的蓝宝石单晶位错密度的测量，检测面为{0001}、{1120}、{1012}、{1010}面。

发布历史

文前页预览

GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法-第1页
GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法-第2页
GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法-第3页
GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法-第4页

研制信息

起草单位：
江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、深圳市中安测标准技术有限公司
起草人：
薛抗美、黄修康、杭寅、尹继刚、田野、张永波、张毅
出版信息：
页数：6页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS77.040

H25OB

中华人民共和国国家标准

GB/T33763—2017

蓝宝石单晶位错密度测量方法

Testmethodfordislocationdensityofsapphiresinglecrystal

2017-05-31发布2017-12-01实施

发布

GB/T33763—2017

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刖弓

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本标准起草单位：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、深

圳市中安测标准技术有限公司。

本标准主要起草人:薛抗美、黄修康、杭寅、尹继刚、田野、张永波、张毅。

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GB/T33763—2017

蓝宝石单晶位错密度测

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