GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
GB/T 33763-2017 Test method for dislocation density of sapphire single crystal
国家标准
中文简体
现行
页数:6页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 33763-2017
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2017-05-31
实施日期
2017-12-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。
本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2~100 000个/cm2的蓝宝石单晶位错密度的测量,检测面为{0001}、{1120}、{1012}、{1010}面。
本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2~100 000个/cm2的蓝宝石单晶位错密度的测量,检测面为{0001}、{1120}、{1012}、{1010}面。
发布历史
-
2017年05月
研制信息
- 起草单位:
- 江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、深圳市中安测标准技术有限公司
- 起草人:
- 薛抗美、黄修康、杭寅、尹继刚、田野、张永波、张毅
- 出版信息:
- 页数:6页 | 字数:10 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77.040
H25OB
中华人民共和国国家标准
GB/T33763—2017
蓝宝石单晶位错密度测量方法
Testmethodfordislocationdensityofsapphiresinglecrystal
2017-05-31发布2017-12-01实施
发布
GB/T33763—2017
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本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、深
圳市中安测标准技术有限公司。
本标准主要起草人:薛抗美、黄修康、杭寅、尹继刚、田野、张永波、张毅。
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GB/T33763—2017
蓝宝石单晶位错密度测
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