T/GDEIIA 06-2023 CF1101型硅基电容器技术规范

ICS31.060.99

CCSL11

T/GDEIIA

团体标准

T/GDEIIA06—2023

CF1101型硅基电容器技术规范

TechnicalSpecificationforCF1101SiliconBasedCapacitor

2023-12-18发布2023-12-18实施

广东省电子信息行业协会发布

T/GDEIIA06—2023

目  次

引  言.............................................................................................................................................................Ⅲ

前  言.............................................................................................................................................................Ⅳ

1范围.................................................................................................................................................................1

2规范性引用文件............................................................................................................................................1

3术语和定义....................................................................................................................................................1

3.1硅基电容器1

3.2电容器1

3.3损耗角正切1

3.4额定电压1

3.5寿命（试验）2

3.6霉菌（试验）2

4要求.................................................................................................................................................................2

4.1总则2

4.2产品鉴定2

4.3质量保证2

4.4材料2

4.5设计结构和外形尺寸2

4.6温度冲击和电压处理4

4.7电容量及允许偏差4

4.8损耗角正切4

4.9绝缘电阻4

4.10介质耐电压4

4.11破坏性物理分析4

4.12键合强度4

4.13剪切强度4

4.14电压-温度特性5

4.15浸渍5

4.16耐焊接热5

4.17稳态湿热（低电压）5

4.18寿命5

4.19霉菌6

4.20标志6

4.21加工质量6

4.22替代要求6

5质量保证要求................................................................................................................................................6

5.1检验分类6

5.2检验条件和基准测量6

I

T/GDEIIA06—2023

5.3鉴定检验7

5.4质量一致性检验8

5.5样品安装方法10

5.6检验方法11

6包装、运输和贮存要求..............................................................................................................................14

6.1包装和标识14

6.2运输和贮存15

6.3发货时应提供的文件15

附录A(规范性)说明事项..............................................................................................................................16

附录B硅基电容器外观典型缺陷判断..........................................................................................................17

附录C硅破坏性物理分析的剖面检查方法和判据......................................................................................23

II

T/GDEIIA06—2023

引  言

硅基电容器作为一种新型元件，主要应用在航空航天、军事防御、能源、通信、自动化及医疗等领

域，具有体积小、Q值高、温度系数小、使用频率高等特点，但是目前国内仍无硅基电容器相关的产品

标准。《中国电子元器件“十四五”发展规划》提出“加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技

术的研发和产业化进度”，硅电容器作为“尖端电容器”，建立硅基电容器相关的行业标准规范具有重

要的意义。标准的建立既能促进硅基电容器产品的规范化、良性化发展，也能为下游客户提供完善的产

品设计规范，推动国内重要新型元器件的发展。

III

T/GDEIIA06—2023

前  言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起

草。

本文件的技术指标和试验方法是在参照GJB2442A-2021《有失效率等级的单层片式瓷介电容器通

用规范》、GJB360B-2009《电子及电气元件试验方法》、GJB548C-2021《微电子器件试验方法和程

序》等国家军用标准的基础上，结合用户需要、国际上硅基电容器的技术发展趋势和企业的产品特点而

制定的。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文由广州天极电子科技股份有限公司提出。

本文件由广东省电子信息行业协会归口。

本文件起草单位：广州天极电子科技股份有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、佛山职业技

术学院、广东产品质量监督检验研究院。

本文件主要起草人：丁明建、刁硕、陈大力、石光明、化雪荟、杨俊锋、冯毅龙、庄彤、蔡祥坤、

陈永康、陈柱亨、徐毅泉、朱青山、王华洋、卢敏仪、雷仕焱。

本文件为首次发布。

Ⅳ

T/GDEIIA06—2023

CF1101型硅基电容器技术规范

1范围

本文件规定了CF1101型硅基电容器的规格型号分类、技术要求、质量保证规定、包装、运输和贮

存。

本文件适用于CF1101型硅基电容器产品的质量控制。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191-2008包装储运图示标志

GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T2693-2001电子设备用固定电容器第1部分：总规范

GB/T2900.16-1996电工术语电力电容器

GJB150.10A-2009军用装备实验室环境试验方法第10部分：霉菌试验

GJB2442A-2021有失效率等级的单层片式瓷介电容器通用规范

GJB360B-2009电子及电气元件试验方法

GJB548C-2021微电子器件试验方法和程序

GJB4152A-2014多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方法

3术语和定义

GJB360B-2009和GJB548C-2021界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1硅基电容器SiliconBasedCapacitor

硅基电容器是采用物理或者化学沉积的方法在重掺硅衬底上沉积介质薄膜，再在硅衬底和介质薄膜

层的表面金属化处理形成电极，最后通过切割而成的。

3.2电容量Capacitance

在其他导体的影响可以忽略时，电容器的一个电极上贮积的电荷量与两电极之间的电压的比值。

[来源：GB/T2900.16-1996]

3.3损耗角正切Tangentofthelossangle

在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。

[来源：GB/T2693-2001]

3.4额定电压Ratedvoltage

设计电容器时所规定的电压，电容器的工作电压应小于等于额定电压。

1

T/GDEIIA06—2023

[来源：GB/T2900-1996]

3.5寿命（试验）Life（test）

为确定电容器失效前的工作时间而进行的试验。

3.6霉菌（试验）Fungus（test）

为确定电容器上长霉程度和长霉对产品性能及其他相关特性影响而进行的试验。

4要求

4.1总则

电容器应符合本文件和GJB2442A-2021规定的所有适用要求。当本文件的要求与GJB2442A-2021

不一致时，应以本文件为准。

4.2产品鉴定

电容器应按照本文件的规定进行鉴定。

4.3质量保证

按本文件供货的电容器，承制方应按程序要求进行鉴定和维持。

4.4材料

电容器采用表面有绝缘介质薄膜层的重掺硅基片进行表面金属化处理形成电极，引出端电极表面为

金层。

4.5设计结构和外形尺寸

4.5.1型号规格

“CF1101”型硅基电容器命名规则如下：

CF1101SG—N—30—50V—470—M—S—T—W

ABCDEFGHI

A:“CF1101”表示硅基电容器类型，CF表示薄膜型电容器，11表示片式，01表示顺序号。后两位字

母表示产品外形：“SG”表示正方形结构；“SL”表示长方形结构；“SP”表示多电极结构。

B:“N”表示容量温度系数，容量温度系数为±100ppm/℃。

C:表示尺寸宽度，例如，“30”表示尺寸宽度为30mil。

D:表示额定电压，采用直标法，以伏特（V）为单位，例如，“50V”表示额定电压为50V。

E:表示标称电容量，以皮法拉（pF）为单位，用三个数字或数字加字母R表示。用三个数字时，

前两个数字为有效数字，最后一个数字表示零的个数，例如，“470”表示47pF；当标称电容量小于10pF

时，用字母R表示小数点，字母前的数字为个位数，字母后的数字为小数位，例如，“4R7”表示4.7pF，

“R75”表示0.75pF。

F:表示电容量允许偏差，用大写字母表示，具体代码见4.7。

2

T/GDEIIA06—2023

G:表示电极外形。对产品外形代码为SG及SL的产品，“S”表示单留边，“D”表示双留边；对产品

外形代码为SP的产品，电极外形代码为1～10数字序号，表示电极块的数量，例如，“3”表示3电极

块。

H:表示金属膜层材料。“T”表示Ti/Au，“N”表示TiW/Au，“P”表示TiW/Ni/Au，“S”表示特殊要求材

料。

I:表示包装方式。“W”表示普通包装，“C”表示特殊包装。

4.5.2引出端

电容器引出端为适合于导电树脂粘接、金锡合金焊接及金丝引线键合的引出端。端电极材料为

TiW/Ni/Au、TiW/Au、Ti/Au。

4.5.3结构和外形尺寸

SG型正方形结构电容器设计、外形尺寸见表1。

表1SG型硅基电容器尺寸

尺寸代码10121830405068

0.2540.3050.4570.7621.0161.2701.727

长L（mm）

±0.025±0.025±0.025±0.025±0.025±0.025±0.025

0.2540.3050.4570.7621.0161.2701.727

宽W（mm）

±0.025±0.025±0.025±0.025±0.025±0.025±0.025

留边T

0.050±0.0250.100±0.025

（mm）

厚T（mm）0.100～0.254

SL型长方形结构电容器设计、外形尺寸见表2。

表2SL型硅基电容器尺寸

尺寸代码宽W(mm)长L(mm)

350.889±0.025