GB/T 10118-2009 高纯镓

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中华人民共和国国家标准

10118—2009

GB／T

代替GB／T10118一1988

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Ej纯

同，U，憎’镓

Highpuritygallium

2009-iO-30发布

宰瞀髋鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会促19

10118—2009

GB／T

刖吾

本标准代替GB／Ti0118—1988<(高纯镓》。

本标准与GB／T10118一1988相比，主要有如下变动：

——增加了检出杂质元素的种类；

——降低了原标准中检出杂质元素的含量；

——引入了MBE级牌号高纯镓；

——对原标准的试验方法进行了修改，增加了辉光质谱法等。

本标准的附录A为资料性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准负责起草单位：国瑞电子材料有限责任公司。

本标准参加起草单位：南京金美镓业有限公司。

本标准主要起草人：于洪国、邢志国。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

10118--1988．

——GB／T

10118—2009

GB／T

高纯镓

1范围

本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内

容等。

本标准适用于以纯度不小于99．99％的工业镓为原料，经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得

的纯度不小于99．9999％的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。

2规