T/CPIA 0065-2024 异质结电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备

ICS27.160

CCSF12

团体标准

T/CPIA0065—2024

异质结电池用等离子体增强化学气相沉积

（PECVD）设备

Plasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD)equipmentusedfor

heterojunctionphotovoltaiccells

2024-03-10发布2024-03-15实施

中国光伏行业协会  发布

T/CPIA0065—2024

目次

前言......................................................................................III

1范围................................................................................1

2规范性引用文件......................................................................1

3术语和定义..........................................................................1

4工作环境及工作条件..................................................................2

5设备要求............................................................................2

5.1外观............................................................................2

5.2安全............................................................................3

5.3主要功能........................................................................3

5.4性能............................................................................3

6试验方法............................................................................4

6.1基本性能........................................................................4

6.2薄膜基本参数....................................................................5

7检验规则............................................................................7

7.1检验类型........................................................................7

7.2交付检验........................................................................7

8标志、包装、搬运和运输、贮存........................................................8

8.1标志............................................................................8

8.2包装............................................................................8

8.3搬运和运输......................................................................8

8.4贮存............................................................................9

I

T/CPIA0065—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会提出。

本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司、隆

基绿能科技股份有限公司、湖南红太阳光电科技有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、常州捷

佳创精密机械有限公司、无锡帝科电子材料股份有限公司、杭州福斯特应用材料股份有限公司、江苏乾

景睿科新能源有限公司、浙江润海新能源有限公司、江苏爱康能源研究院有限公司。

本文件主要起草人：王赶强、王慧慧、庄天奇、马哲国、卢俊雄、吴易龙、江伟、朱海剑、张洪旺、

周光大、朱晨、刘松民、周春华、谈剑豪。

III

T/CPIA0065—2024

异质结电池用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备

1范围

本文件规定了本征薄膜异质结电池用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备（以下简称“PECVD

设备”）的术语和定义、工作环境、设备要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、搬运和运输、贮

存等。

本文件适用于本征薄膜异质结电池用PECVD设备。产品主要用于沉积多种薄膜材料，例如非晶硅、

微晶硅、二氧化硅、氮化硅薄膜等本征薄膜材料等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB2894—2008安全标志及其使用导则

GB/T5080.7设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案

GB/T5226.1—2019机械电气安全机械电气设备第1部分:通用技术条件

GB/T6388运输包装收发货标志

GB/T8196—2018机械安全防护装置固定式和活动式防护装置设计与制造一般要求

GB/T11164—2011真空镀膜设备通用技术条件

GB12348—2008工业企业厂界环境噪声排放标准

GB/T13306标牌

GB/T13384机电产品包装通用技术条件

GB/T25915.1—2021洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

GB/T30116半导体生产设施电磁兼容性要求

GB50052—2009供配电系统设计规范

GB50231—2009机械设备安装工程施工及验收通用规范

GB50646—2020特种气体系统工程技术标准

SJ/T1552电子工业专用设备机械装配技术要求

SJ/T1635电子工业管路的基本识别色和识别符号

SJ/T10674—1995涂料涂覆通用技术条件

SJ20984—2008化学气相沉积设备通用规范

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

等离子体增强化学气相沉积plasmaenhancedchemicalvapordeposition；PECVD

利用微波、射频、高频等电源系统，在特定条件下激发气体生成等离子体（该气体也称气态前驱物，

它在电磁场的作用下发生离子化）形成激发态的活性基团，活性基团扩散到基片表面并在一定温度下发

生化学反应，生成物在基片表面沉积形成所需薄膜的一种工艺技术。

3.2

板式等离子体增强化学气相沉积设备platetypeplasmaenhancedchemicalvapordeposition

equipment

1

T/CPIA0065—2024

利用板式等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备薄膜的设备。

注：一般采用微波、射频、高频等电源系统，将射频功率输送到反应腔内的两个平行或者两个近似平行的电极板之

间，通入反应气体，在一定的压强范围内，两个电极之间电感或者电容耦合激发反应气体成为等离子体，局部

形成稳定的等离子体区域内实现化学反应，在基片上沉积出所期望的薄膜材料。

3.3

本征薄膜异质结电池heterojunctioncrystallinesiliconphotovoltaiccell

由掺杂非晶硅或微晶硅薄膜发射区、极薄硅薄膜本征层和晶体硅基区构成的异质结电池。

3.4

非晶硅薄膜amorphoussiliconthinfilm

结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。

3.5

微晶硅薄膜microcrystallinesiliconthinfilm

介于非晶硅和单晶硅之