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T/CAB 0180-2022 GAGG晶体及晶片阵列性能测量方法

T/CAB 0180-2022 GAGG crystal and chip array performance measurement method

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CAB 0180-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
F 能源、核技术
国际标准分类号（ICS）
17.240 辐射测量
发布日期
2022-09-29
实施日期
2022-09-29
发布单位/组织
-
归口单位
中国产学研合作促进会
适用范围
范围:本文件适用于GAGG晶体及晶片阵列性能测量; 主要技术内容:本文件规定了掺铈钆铝镓石榴石（Cerium-doped Gadolinium Aluminum Gallium Garnet，Gd3Al2Ga3O12，英文缩写GAGG）晶体及晶片阵列外观及几何特性（外观、尺寸、翘曲度、总厚度偏差、表面粗糙度、垂直度、平行度等）的检测方法，以及辐射特性（光输出、相对能量转换效率、闪烁光衰减长度、发射光谱、闪烁余辉时间、晶体阵列的心角比等）的测量方法

发布历史

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研制信息

起草单位：
眉山博雅新材料股份有限公司、中物院核物理与化学研究所、上海联影医疗科技股份有限公司、广西国盛稀土新材料有限公司
起草人：
王宇、李敏、梁振兴、郭洪生、丁言国、徐旭升
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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