1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 团体标准 >
  4. T/ZSA 38-2020

T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法

T/ZSA 38-2020 The method for detecting residual stress of SiC crystal wafers

团体标准 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/ZSA 38-2020
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
-
国际标准分类号（ICS）
-
发布日期
-
实施日期
-
发布单位/组织
中关村标准化协会
归口单位
-
适用范围
本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本文件适用于晶片厚度适当，对波长400 nm～700 nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

发布历史

文前页预览

当前资源暂不支持预览

研制信息

起草单位：
-
起草人：
-
出版信息：
页数：- | 字数：13 千字 | 开本： -

内容描述

暂无内容

定制服务

    推荐标准

    相似标准推荐

    更多>