T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法
T/ZSA 38-2020 The method for detecting residual stress of SiC crystal wafers
团体标准
现行
页数:0页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
T/ZSA 38-2020
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
-
国际标准分类号(ICS)
-
发布日期
-
实施日期
-
发布单位/组织
中关村标准化协会
归口单位
-
适用范围
本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本文件适用于晶片厚度适当,对波长400 nm~700 nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
发布历史
-
1970年01月
文前页预览
当前资源暂不支持预览
研制信息
- 起草单位:
- -
- 起草人:
- -
- 出版信息:
- 页数:- | 字数:13 千字 | 开本: -
内容描述
暂无内容
定制服务
推荐标准
- DL/T 2213.1-2021 交流标准功率源 第1部分:通用技术要求 2021-01-07
- DL/T 2208-2021 换流变压器现场绕组更换关键工艺控制导则 2021-01-07
- DL/T 2206-2021 分布式电源燃气发电性能测试规程 2021-01-07
- DL/T 2207-2021 电力电容器噪声测量方法 2021-01-07
- DL/T 2211-2021 直流验电器 2021-01-07
- DL/T 2214-2021 火电厂烟气中氨浓度在线监测系统技术条件 2021-01-07
- DL/T 2210-2021 水电站无人值班技术规范 2021-01-07
- DL/T 2205-2021 分布式电源燃气发电运行指标评价规范 2021-01-07
- DL/T 1397.8-2021 电力直流电源系统用测试设备通用技术条件 第8部分:绝缘监测装置校验仪 2021-01-07
- DL/T 2212-2021 特高压用绝缘软拉棒 2021-01-07