DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片

ICS31.260

L53

DB35

福建省地方标准

DB35/T1193—2011

半导体发光二极管芯片

2011-10-28发布2012-02-15实施

福建省质量技术监督局发布

DB35/T1193—2011

前言

本标准的技术要求及试验方法主要参考行业标准SJ/T11398-2009《功率半导体发光二极管芯片技

术规范》、SJ/T11399-2009《半导体发光二极管芯片测试方法》和国家标准GB/T4937-1995《半导体

分立器件机械和气候试验方法》的规定。

本标准按照GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写规则》给出的规则

起草。

本标准由厦门市质量技术监督局提出。

本标准由福建省信息化局归口。

本标准起草单位：国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心、厦门市产品质量监督

检验院、厦门市三安光电科技有限公司、厦门市标准化协会。

本标准主要起草人：刘毅清、葛莉荭、梁奋、陈晓玲、蔡伟智、傅诺毅、庄鹏、庄庆瑞、田力军、

李仲超。

I

DB35/T1193—2011

半导体发光二极管芯片

1范围

本标准规定了半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的术语和定义、技术要求、试验方法、

检验规则、包装、贮存和运输。

本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的

测试可参考执行。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191-2008包装储运图示标志（ISO780-1997,MOD）

GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法

GB/T4937.1-2006半导体器件机械和气候试验方法第1部分总则（IEC60749-1-2002,IDT）

SJ/T11395-2009半导体照明术语

SJ/T11398-2009功率半导体发光二极管芯片技术规范

SJ/T11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法

3术语和定义

SJ/T11395-2009和SJ/T11399-2009界定的术语和定义适用于本文件。

4技术要求

4.1标识和外观质量

4.1.1标识

芯片包装容器的标签上应有正向电压、发光强度或光功率、波长、数量和标准容差等主要性能指标

的标称值及相应的型号规格，该型号规格对应的含义应在相关产品规格书中指明。

4.1.2外观质量

芯片的外观质量应符合SJ/T11398-2009中附录A的要求。

4.2外形尺寸

4.2.1外形

芯片的外形应符合相关产品规格书的要求。

1

DB35/T1193—2011

4.2.2结构参数

芯片的尺寸、厚度和焊盘尺寸等参数应符合相关产品规格书的要求。

4.3光电特性

4.3.1绝对最大额定值

4.3.1.1发光二极管功率型芯片

绝对最大额定值如表1所示。

表1发光二极管功率型芯片绝对最大额定值1

数值

参数符号单位

最小最大

贮存温度Tstg-2085℃

结温Tj-125℃

焊接温度-250℃

Tsld

(规定最长焊接时间)-5s

反向电压VR-5V

环境温度为25℃下的直流正向电流IF-350mA

环境温度为25℃下的峰值正向电流

IFM-500mA

（脉冲频率为1kHz，占空比1/10）

注：本表适用于额定功率1W的芯片，其它芯片参考采用。

4.3.1.2发光二极管非功率型芯片

绝对最大额定值如表2所示。

表2发光二极管非功率型芯片绝对最大额定值

数值

参数符号单位

最小最大

贮存温度Tstg-2085℃

焊接温度-250℃

Tsld

(规定最长焊接时间)-5s

反向电压VR-5V

环境温度为25℃下的直流正向电流IF-30mA

环境温度为25℃下的峰值正向电流

IFM-100mA

（脉冲频率为1kHz，占空比1/10）

注：本表适用于面积0.25mm×0.25mm的芯片，其它芯片参考采用。

4.3.2正向电压

芯片的正向电压应符合相关产品规格书的要求。

4.3.3反向电流

2

DB35/T1193—2011

芯片的反向电流应符合相关产品规格书的要求。

4.3.4发光强度或光功率

芯片的发光强度或光功率应符合相关产品规格书的要求。

4.3.5波长

芯片的波长应符合相关产品规格书的要求。

4.4环境适应性

4.4.1键合强度

键合强度应≥30mN。

4.4.2剪切强度

剪切强度应大于（6.1×芯片面积）N，芯片面积单位为mm2。

4.4.3温度循环

按本标准第5.5.3条进行试验后，应符合表6中C1分组的要求。

4.4.4循环湿热（仅对空封器件）

按本标准第5.5.4条进行试验后，应符合表6中C1分组的要求。

4.4.5振动

按本标准第5.5.5条进行试验后，应符合表6中C2分组的要求。

4.4.6冲击

按本标准第5.5.6条进行试验后，应符合表6中C2分组的要求。

4.4.7恒定加速度（仅对空封器件）

按本标准第5.5.7条进行试验后，应符合表6中C2分组的要求。

4.5电耐久性

4.5.1168h电耐久性

按本标准第5.6.1条进行加电工作168h试验后，应符合表5中B4分组的要求。

4.5.21000h电耐久性

按本标准第5.6.2条进行加电工作1000h试验后，应符合表6中C3分组的要求。

4.6静电放电敏感度（适用时）

按本标准第5.7条进行试验后，应符合表6中C4分组的要求。

5试验方法

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DB35/T1193—2011

5.1测试条件

除另有规定外，本标准的试验应在GB/T4937.1-2006中第4章规定的标准大气条件下进行。

5.2标识和外观质量

5.2.1标识

目视检查芯片包装容器标签上的标识，应符合4.1.1的要求。

5.2.2外观质量

按SJ/T11398-2009的附录A中规定的方法进行检验，应符合4.1.2的要求。

5.3外形尺寸

5.3.1外形

在垂直照明条件下进行目检，应符合相关产品规格书的要求。

5.3.2结构参数

使用准确度符合要求的量具测量芯片尺寸、芯片厚度和焊盘尺寸，应符合相关产品规格书的要求。

5.4光电特性

5.4.1正向电压

按SJ/T11399-2009中第5.2条规定的方法进行试验，应符合本标准中第4.3.2条的要求。

5.4.2反向电流

按SJ/T11399-2009中第5.4条规定的方法进行试验，应符合本标准中第4.3.3条的要求。

5.4.3发光强度或光功率

按SJ/T11399-2009中第6.1条规定的方法对芯片的发光强度进行检验，或按SJ/T11399-2009中第

6.3条规定的方法对芯片的光功率进行检验，应符合本标准中第4.3.4条的要求。