T/CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法

T/CNS 81-2022 Charge-coupled device proton-induced damage effect simulation test method

团体标准 中文(简体) 现行 页数:0页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
T/CNS 81-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2022-12-16
实施日期
2023-04-01
发布单位/组织
-
归口单位
中国核学会
适用范围
范围:本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验; 主要技术内容:本文件描述了采用质子对电荷耦合器件(CCD)进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法和程序

发布历史

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研制信息

起草单位:
中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部
起草人:
文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟
出版信息:
页数:- | 字数:- | 开本: -

内容描述

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