DB11/T 1144-2014 盆栽春石斛兰栽培技术规程

ICS65.020.20

B62

DB11

北京市地方标准

DB11/T1144—2014

盆栽春石斛兰栽培技术规程

Technicalregulationofcultivationforpottednobilestyledendrobium

2014-12-17发布2015-04-01实施

北京市质量技术监督局发布

DB11/T1144—2014

目次

前言.................................................................................II

1范围...............................................................................1

2术语和定义.........................................................................1

3缩略语.............................................................................1

4组培苗生产.........................................................................2

5温室准备...........................................................................2

6基质准备...........................................................................2

7水质要求...........................................................................3

8种植容器...........................................................................3

9生根苗移栽.........................................................................3

10栽培管理..........................................................................3

11花期调控..........................................................................4

12病虫害防治........................................................................5

附录A（资料性附录）MS培养基母液及培养基配制参数一览表..............................6

附录B（资料性附录）春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表....................7

附录C（资料性附录）春石斛兰主要病虫害及防治方法一览表..............................8

I

DB11/T1144—2014

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由北京市园林绿化局提出并归口。

本标准由北京市园林绿化局组织实施。

本标准起草单位：北京温榆河花卉有限公司、北京市大东流苗圃。

本标准主要起草人：律江、司瑞新、李振鹏、李振坚、刘克林、姜青樟、王瑛、黄庆祝、邢立霞、

薛敦孟、方志军。

II

DB11/T1144—2014

盆栽春石斛兰栽培技术规程

1范围

本标准规定了盆栽春石斛兰繁殖栽培养护的全过程，包括组培苗生产、温室准备、基质准备、水质

要求、种植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期调控、病虫害防治等栽培养护环节。

本标准适用于盆栽春石斛兰组培苗的温室栽培管理。

2术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

2.1

假鳞茎pseudobulb

一种变态茎，粗短而肥厚，有节，叶生于节上。

2.2

鳞芽bulbil

从假鳞茎基部萌生出的叶芽。

2.3

花芽flowerbud

在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起，通常每芽可分化为2～4朵花。

2.4

高位芽high–budseeding

在假鳞茎节上萌生出的新个体。

2.5

止叶terminalleaf

生长在假鳞茎顶部，其叶鞘包围的是一个圆锥状节，节上偶见急剧缩小的叶形片状体。

2.6

缺刻notch

春石斛兰叶片尖部的三角状缺痕。

3缩略语

下列缩略语适用于本文件。

1

DB11/T1144—2014

6-BA：6苄基腺嘌呤（6-benzyladenine）

NAA：萘乙酸（1-naphthaleneaceticacid）

TWEEN-20：吐温20（polysorbate20）

4组培苗生产

4.1培养基

宜选用MS为基本培养基；常用生长调节剂为6-BA、NAA。培养基配制参数参见附录A。

4.2外植体选择及处理

选择品种纯正、生长健康的植株，切取幼嫩的鳞芽或高位芽，清洗消毒后，进行表面灭菌，然后切

取5mm茎尖进行接种培养。

4.3培养条件

光照强度2000lx～4000lx，光照时间12h/d，培养温度25℃±2℃。

4.4原球茎诱导

诱导培养基宜为MS+6BA2.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3%+琼脂0.7%，pH值为5.2～5.4，培养25d～30d。

4.5继代培养

继代培养基宜为MS+6BA1.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3%+椰乳150g/L+琼脂0.7%，pH值为5.2～5.4，

培养40d～50d后分化出小苗。如果需要进一步扩繁，可将原球茎切成小块进行多次转接。

4.6生根苗培养

生根培养基宜为1/2MS+NAA0.1mg/L+香蕉泥100g/L+活性炭0.1%+蔗糖2%+琼脂0.7%，pH值为5.2～

5.4。将株高大于5cm的小苗转接到生根培养基上。

4.7出苗

当根系大于等于3条，株高8cm左右时，即可将生根苗运送到温室进行过渡栽培。

5温室准备

5.1基本要求

栽培温室应具备调控温度、湿度、光照等环境因子的设备设施。

5.2温室处理

种植前清理温室内部及周边杂物、杂草。

种植前一周采用高效低毒杀虫剂，喷洒地面、苗床、排水沟等，喷至表面布满水滴为宜。

种植前2d～3d采用广谱性杀菌烟剂，密闭熏蒸12h～24h，期间人员不得进入。熏蒸后充分通风6h～

12h。处理药剂及使用方法参见附录B。

2

DB11/T1144—2014

6基质准备

6.1基质种类

应选择透气性好的栽培基质，常选择水苔栽培，也可选择树皮、椰糠等栽培。

6.2水苔处理

清水浸泡水苔4h～6h，排掉多余水分后捞出水苔放入甩干机,脱水至排水口水流呈滴状流出为宜。

将水苔取出放至操作台上备用。

7水质要求

栽培水质pH值为6.5～7.0，EC值小于0.15ms/cm。不达标水质使用前需进行脱盐、酸化处理。

8种植容器

根据种苗的不同生长阶段，可以选择72目穴盘和口径8cm×深8cm的白色塑料营养钵（又称2.5寸盆）

种植。通常2.5寸盆需要