JJF 2393-2026 直流高压发生器校准规范
JJF 2393-2026 Calibration Specification for DC High Voltage Generators
基本信息
发布历史
-
2026年04月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 河南省计量科学研究院、国家高电压计量站
- 起草人:
- 贾红斌、雷民、周秉时、侯永辉、李登云
- 出版信息:
- 页数:24页 | 字数:24 千字 | 开本: 大16开
内容描述
中华人民共和国国家计量技术规范
JJF2393—2026
直流高压发生器校准规范
CalibrationSpecificationforDCHighVoltageGenerators
2026‑04‑02发布2026‑10‑02实施
国家市场监督管理总局发布
JJF2393—2026
直流高压发生器校准规范
CalibrationSpecificationforDCHighVoltageJJF2393—2026
Generators
归口单位:全国电磁计量技术委员会高压计量分技术委员会
主要起草单位:河南省计量科学研究院
国家高电压计量站
参加起草单位:山东省计量科学研究院
苏州华电电气股份有限公司
本规范委托全国电磁计量技术委员会高压计量分技术委员会负责解释
JJF2393—2026
本规范主要起草人:
贾红斌(河南省计量科学研究院)
雷民(国家高电压计量站)
周秉时(河南省计量科学研究院)
侯永辉(河南省计量科学研究院)
李登云(国家高电压计量站)
参加起草人:
王新军(山东省计量科学研究院)
张毓麟(苏州华电电气股份有限公司)
JJF2393—2026
目录
引言………………………(Ⅱ)
1范围…………………(1)
2引用文件……………(1)
3术语…………………(1)
4概述…………………(1)
5计量特性……………(2)
5.1输出电压…………(2)
5.2输出电流…………(2)
5.3短时稳定度………………………(2)
6校准条件……………(2)
6.1环境条件…………(2)
6.2测量标准及其他设备……………(2)
7校准项目和校准方法………………(3)
7.1校准项目…………(3)
7.2校准方法…………(3)
8校准结果表达………………………(6)
9复校时间间隔………………………(7)
附录A输出电压、输出电流测量不确定度评定示例………………(8)
附录B校准原始记录格式……………(12)
附录C校准证书内页格式……………(15)
Ⅰ
JJF2393—2026
引言
JJF1071—2010《国家计量校准规范编写规则》、JJF1001—2011《通用计量术语
及定义》、JJF1059.1—2012《测量不确定度评定与表示》共同构成支撑本规范制定工
作的基础性规范。
本规范为首次发布。
Ⅱ
JJF2393—2026
直流高压发生器校准规范
1范围
本规范适用于额定输出电压1kV及以上直流高压发生器的校准。
2引用文件
本规范引用了下列文件:
GB/T16927.1—2011高电压试验技术第1部分:一般试验要求
DL/T848.1—2019高压试验装置通用技术条件第1部分直流高压发生器
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于该规范;凡是不注日期的引用文
件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本规范。
3术语
下列术语和定义适用于本规范。
3.1直流高压发生器DChighvoltagegenerator
产生直流高电压的成套装置。
[来源:DL/T848.1—2019,3.1]
3.2短时稳定度short‑timestability
规定的环境条件下,输入电压和外接负载保持不变时,在规定的时间间隔内,直
流高压发生器输出电压的最大变化量与输出电压算术平均值之比。
[来源:DL/T848.1—2019,3.4]
4概述
直流高压发生器可对氧化锌避雷器、电力电缆、变压器、发电机等高压电气设备
进行直流耐压试验,可作为直流高电压标准源。直流高压发生器一般采用交流—直
流—逆变—倍压整流的方式产生直流高压。原理如图1所示。
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图1倍压整流产生直流高压原理图
1
定制服务
推荐标准
- GB/T 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 1995-04-18
- GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 1995-04-18
- GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 1995-04-18
- GB/T 1817-1995 硬质合金常温冲击韧性试验方法 1995-04-18
- GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 1995-04-18
- GB/T 5230-1995 电解铜箔 1995-04-18
- GB/T 469-1995 铅锭 1995-04-18
- GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 1995-04-18
- GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 1995-04-18
- GB/T 4436-1995 铝及铝合金管材外形尺寸及允许偏差 1995-04-18