DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片

ICS01.040.27

F12

DB13

河北省地方标准

DB13/T1314—2010

太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片

2010-11-15发布2010-11-25实施

河北省质量技术监督局发布

DB13/T1314—2010

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由邢台市质量技术监督局提出。

本标准起草单位：晶龙实业集团有限公司、宁晋县质量技术监督局。

本标准主要起草人员：任丙彦、安增现、柳志强、颜志峰、刘彦朋。

I

DB13/T1314—2010

太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片

1范围

本标准规定了太阳能级硅单晶方棒、单晶硅片的术语和定义、产品分类、原料要求、技术要求、试

验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。

本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶硅方棒、单晶硅片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T191包装储运图示标志

3术语和定义

3.1

缺口indent

指贯穿单晶硅片边缘的缺损。

3.2

亮边brightPointEdge

指单晶硅片侧棱上的连续缺损区域。

3.3

崩边edgecrack

指单晶硅片边缘或表面未贯穿单晶硅片的局部缺损区域，当崩边在单晶硅片边缘产生时，其尺寸由

径向深度和周边弦长给出。

3.4

裂纹crack

指延伸到单晶硅片表面，贯穿或不贯穿单晶硅片厚度的解理或裂痕。

1

DB13/T1314—2010

3.5

划痕scratch

指单晶硅片在白炽灯或荧光灯下，肉眼明显可见的凹陷状划伤。

3.6

线痕sawmark

指切割时在单晶硅片表面留下的轻微不规则凹凸直线状痕迹。

3.7

弧宽度偏差chamferwidthdeparture

单晶硅方棒、单晶硅片的四个圆弧中所对应的最大弦长与最小弦长的差。

4产品分类

4.1分类

单晶硅方棒、单晶硅片按导电类型分为N型和P型两种类型。

4.2规格

单晶硅方棒、单晶硅片按直径分为Ф127mm、Ф135mm、Ф150mm、Ф165mm、Ф200mm、

Ф220mm或由供需双方商定规格；按单晶硅方棒、单晶硅片的形状和外形尺寸（注：a×a/φ见图1,

单位mm)分为：

100×100/127、103×103/135、125×125/150、125×125/165、156×156/200、156×156/220或由供

需双方商定规格。

Φ—直径；

2

DB13/T1314—2010

α—边长；

Ｌ—弦长。

单晶硅方棒断面、单晶硅片表面形状

4.3等级

单晶硅片按品质等级分为：一级品、二级品、三级品（具体分类标准见5.2.3）。

5原料要求

原料应符合表1规定。

位错密

少子寿命

导电掺杂元生长晶向电阻率氧含量碳含量度

晶向μs

类型素方式偏离度Ω.cmatoms/cm3atoms/cm3个

（断面中心点）

/cm2

B（硼）1-3/3-6≥15

P型GaCZ＜100＞≤1°≤0.95×10E18≤5×10E16≤2000

0.5-6≥10

（镓）