SJ/T 11976-2025 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶
SJ/T 11976-2025 Indium-doped zone-melting silicon single crystal for IGBT
行业标准-电子
简体中文
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
SJ/T 11976-2025
标准类型
行业标准-电子
标准状态
现行
发布日期
2025-05-09
实施日期
2025-08-01
发布单位/组织
工业和信息化部
归口单位
-
适用范围
-
发布历史
-
2025年05月
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研制信息
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