SJ 20060-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
SJ 20060-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
行业标准-电子
中文(简体)
现行
页数：9页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
SJ 20060-1992
标准类型
行业标准-电子
标准状态
现行
发布日期
1992-11-19
实施日期
1993-05-01
发布单位/组织
-
归口单位
-
适用范围
-
发布历史
-
1992年11月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
- 起草人：
- 王长福、谢佩兰、王承琳
- 出版信息：
- 页数：9页 | 字数：- | 开本： -
内容描述
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