T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

范围:本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。 本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备; 主要技术内容:本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称“外延设备”）的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容，对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工（碳化硅外延片）质量指标给出了统一技术参数及评价方法。通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制，保证了设备的精准性、安全性