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T/SEPA 4-2022 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范

T/SEPA 4-2022 Partial discharge EFPI optical fiber ultrasonic sensor probe MEMS manufacturing technology Part 1: Process specification based on SOI silicon wafer

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/SEPA 4-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
K40/49 输变电设备
国际标准分类号（ICS）
29.020 电气工程综合
发布日期
2022-12-01
实施日期
2023-02-01
发布单位/组织
-
归口单位
上海市电力行业协会
适用范围
范围:本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片应遵循的工艺规范，包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验。 本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验; 主要技术内容:局部放电（partial discharge, PD）会产生电磁和声波信号，辐射光并会造成绝缘材料的化学分解； 这些物理和化学的效应可以通过各类诊断性方法及相应的传感器进行检测。其中，应用声学法测量电力 设备绝缘缺陷产生的PD，通常可选用基于压电或声光效应的传感器。随着制造加工技术的发展，针对利用MEMS（Microelectromechanical System）技术制作PD EFPI（Extrinsic Fabry-Perot Interferometer）光纤超声传感器探头被大量采用，本文件针对“局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术”，对“基于SOI硅片的工艺规范”进行描述，主要包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验，适用于电力设备PD EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验

发布历史

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研制信息

起草单位：
国网上海市电力公司、西北工业大学、国网宁夏电力有限公司电力科学研究院、国网智能电网研究院有限公司、国网山西省电力公司、西安茂荣电力设备有限公司、华东电力试验研究院有限公司
起草人：
司文荣、虞益挺、傅晨钊、吴旭涛、鞠登峰、黄辉、赵莹莹、陆启宇、吴欣烨、聂鹏晨、卢晶、周秀、何宁辉、药炜、陈川、梁基重、张莹、朱炯、胡正勇、倪鹤立、王伟、曹培
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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