GB/Z 46984.4-2026 光伏电池 第4部分:晶体硅光伏电池光热诱导衰减试验方法

GB/Z 46984.4-2026 Photovoltaic cells—Part 4:Measurement of light and elevated temperature induced degradation of crystalline silicon photovoltaic cells

国家标准 中文简体 现行 页数:12页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/Z 46984.4-2026
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2026-01-04
实施日期
-
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会(SAC/TC 90)
适用范围
本文件规定了晶体硅光伏电池的光热诱导衰减试验方法,包含术语和定义、测试设备、样本准备、实验方法、报告。
本文件适用于晶体硅光伏电池(以下简称电池)。

文前页预览

研制信息

起草单位:
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司、中国电子技术标准化研究院、隆基绿能科技股份有限公司、通威太阳能(成都)有限公司、阿特斯阳光电力集团股份有限公司、晶科能源(海宁)有限公司、东方日升新能源股份有限公司、宣城先进光伏技术有限公司
起草人:
张达奇、裴会川、李振国、王栩生、李金雨、蒋方丹、郭素琴、李宁、刘亚锋、周晓波、李其聪
出版信息:
页数:12页 | 字数:12 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS2716

CCSK.83

中华人民共和国国家标准化指导性技术文件

GB/Z469844—2026/IECTS63202-42022

.:

光伏电池第4部分晶体硅光伏电池

:

光热诱导衰减试验方法

Photovoltaiccells—Part4Measurementoflihtandelevated

:g

temperatureinduceddegradationofcrystallinesiliconphotovoltaiccells

IECTS63202-42022IDT

(:,)

2026-01-04发布

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/Z469844—2025/IECTS63202-42022

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测试设备

4…………………2

样本准备

5…………………2

实验方法

6…………………2

报告

7………………………3

附录资料性电池光热诱导衰减行为

A()………………4

参考文献

………………………5

GB/Z469844—2025/IECTS63202-42022

.:

前言

本文件为规范类指导性技术文件

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件是光伏电池的第部分已经发布了以下部分

GB/T(Z)46984《》4。GB/T(Z)46984:

第部分晶体硅光伏电池光致衰减试验方法

———1:;

第部分晶体硅光伏电池电致发光图像

———2:;

第部分双面光伏电池电流电压特性的测量

———3:-;

第部分晶体硅光伏电池光热诱导衰减试验方法

———4:。

本文件等同采用光伏电池第部分晶体硅光伏电池光热衰减试验方

IECTS63202-4:2022《4:

法文件类型由的技术规范调整为我国的国家标准化指导性技术文件

》,IEC。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

更改了范围将范围中说明的内容移至引言中

———,IECTS63202-4:2022;

更改了第章的条款号由改为

———6,a)~j)6.1~6.10。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

本文件由全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会归口

(SAC/TC90)。

本文件起草单位嘉兴阿特斯技术研究院有限公司中国电子技术标准化研究院隆基绿能科技股

:、、

份有限公司通威太阳能成都有限公司阿特斯阳光电力集团股份有限公司晶科能源海宁有限公

、()、、()

司东方日升新能源股份有限公司宣城先进光伏技术有限公司

、、。

本文件主要起草人张达奇裴会川李振国王栩生李金雨蒋方丹郭素琴李宁刘亚锋周晓波

:、、、、、、、、、、

李其聪

GB/Z469844—2025/IECTS63202-42022

.:

引言

提出了光伏电池的测试方法对光伏电池的测试具有积极的指导意义

GB/T(Z)46984,,

拟由以下部分组成

GB/T(Z)46984。

第部分晶体硅光伏电池光致衰减试验方法目的在于规定光伏电池光致衰减的试验方法

———1:,。

第部分晶体硅光伏电池电致发光图像目的在于规定光伏电池的获取取方法及各种光

———2:,EL

伏电图像的缺陷说明

EL。

第部分双面光伏电池电流电压特性的测量目的在于规定双面光伏电池I-V的测量方法

———3:-,。

第部分晶体硅光伏电池光热诱导衰减试验方法目的在于规定光伏电池光热诱导下功率衰

———4:,

减的测试方法

;

第部分晶体硅光伏电池水浴测方法目的在于评估晶体硅光伏电池浆料在高温高湿条件

———6:。

下是否脱落及脱落的情况

,;

第部分晶体硅光伏电池弯曲强度测试方法目的在于评估晶体硅光伏电池抗弯强度减少

———7:。,

电池片破碎风险

;

第部分晶体硅光伏电池紫外诱导衰减测试方法目的在于评估晶体硅光伏电池耐紫外的

———8:。

能力减少组件端的封装损失

,。

规定了晶体硅光伏电池的初始光致衰减试验方法使用此方法可评估电池在

GB/T46984.1(LID),

中等温度和较短辐照时间内的风险并规定了当累计辐照量达到-2时终止试验

LID,20kWh·m。

光伏组件的发电量受到所用电池固有光热诱导衰减性能的影响光热诱导衰减包括了和其

。LID

他衰减机制本文件中描述的试验方法用于评估电池在高温和更长时间光照下的衰减行为通过比较

。。

不同累计辐照量后在标准测试条件下的最大输出功率P与初始P的差异可确定衰减速

(STC)maxmax,

率最大衰减比率和可能的恢复此外本文件推荐了一种用于描述P衰减相对于累积辐照量的曲

、。,max

线这有助于电池制造商判断电池是否容易受到光热诱导衰减的影响

,。

本文件中描述的试验方法可测试得到电池在高温光照下的整体衰减这与其他一些将硼氧引起的

,

与光热诱导衰减分开或仅限于载流子注入引起衰减的标准不同使用本文件方法测定的整体衰减

LID。

与户外实际应用条件下的衰减相关性更强并能更好地评估光热诱导衰减风险对于在大约

,。

-2内具有强烈初始衰减的电池能应用中的试验方法另外与

20kWh·m,GB/T46984.1。,GB/Z119

中描述的组件光热诱导衰减试验方法相比本方法使用了与之相同的温度但是选择在电池开路条件下

,

使用更高的注入量以缩短测试时间

本文件中描述的试验方法能用于检测电池的光热诱导衰减风险和判断光热诱导衰减改善措施的有

效性例如用于电池生产过程中的快速测试监控从而有助于提高光伏组件的发电量

(),。

GB/Z469844—2025/IECTS63202-42022

.:

光伏电池第4部分晶体硅光伏电池

:

光热诱导衰减试验方法

1范围

本文件规定了晶体硅光伏电池的光热诱导衰减试验方法包含术语和定义测试设备样本准备实

,、、、

验方法报告

、。

本文件适用于晶体硅光伏电池以下简称电池

()。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

光伏器件第部分光伏电流电压特性的测量

IEC60904-11:-(Photovoltaicdevices—Part1:

Measurementofphotovoltaiccurrent-voltagecharacteristics)

注光伏器件第部分光伏电流电压特性的测量

:GB/T6495.1—20251:-(IEC60904-1:2020,IDT)

光伏器件第部分标准光伏器件的要求

IEC60904-22:(Photovoltaicdevices—Part2:Require-

mentsforphotovoltaicreferencedevices)

注光伏器件第部分标准光伏器件的要求

:GB/T6495.2—20252:(IEC60904-2:2023,IDT)

光伏器件第部分太阳模拟器特性分级

IEC60904-99:(Photovoltaicdevices—Part9:Classifi-

cationofSolarsimulatorcharacteristics)

注光伏器件第部分太阳模拟器特性分级

:GB/T6495.9—20259:(IEC60904-9:2020,IDT)

太阳光伏能源系统术语

IECTS61836(Solarphotovoltaicenergysystems—Terms,definitions

andsymbols)

注太阳光伏能源系统术语

:GB/T2297—2025(IECTS61836:2016,NEQ)

光伏电池第部分晶体硅光伏电池光致衰减试验方法

IEC63202-1:20191:(Photovoltaic

cells—Part1:Measurementsoflight-induceddegradationofcrystallinesiliconphotovoltaiccells)

注光伏电池第部分晶体硅光伏电池光致衰减试验方法

:GB/T46984.1—20251:(IEC63202-1:2019,IDT)

光伏电池第部分晶体硅太阳电池光致发光图像

IECTS63202-2:20212:[Photovoltaiccells—

Part2:Electroluminescenceimageforcrystallinesiliconsolarcells(indevelopment)]

注光伏电池第部分晶体硅光伏电池电致发光图像

:GB/Z46984.2—20262:(IECTS63202-2:2021,IDT)

晶体硅光伏组件光热诱导衰减试验检测

IECTS63342(LETID)[C-Siphotovoltaic

(PV)modules—Lightandelevatedtemperatureinduceddegradation(LETID)test—Detection]

注晶体硅光伏组件光热诱导衰减试验检测

:GB/Z119—2026(LETID)(IECTS63342:2022,IDT)

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

IECTS61836。

和维护的用于标准化的术语数据库网址如下

ISOIEC:

1

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