GB/T 44004-2024 纳米技术 有机晶体管和材料表征试验方法

ICS07.030

CCSL90

中华人民共和国国家标准

/—

GBT440042024

纳米技术

有机晶体管和材料表征试验方法

—

NanotechnoloiesTestmethodsforthecharacterizationof

g

oranictransistorsandmaterials

g

(:,

IEC628602013Testmethodsforthecharacterizationof

,)

oranictransistorsandmaterialsMOD

g

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT440042024

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

、………………………

3术语定义和缩略语1

3.1术语和定义…………………………1

3.2缩略语………………4

4电学特性通则……………4

4.1测试仪器……………4

4.2测试技术……………4

4.3重复性和报告样本量………………5

4.4低噪声技术的应用…………………5

5标准OFET表征程序……………………5

5.1OFET表征过程指南………………5

5.2电气测量……………7

6报告………………………9

6.1简易报告……………9

6.2器件结构的报告……………………9

6.3器件迁移率的测定和报告…………10

6.4开关比的测定和报告………………11

6.5介电常数的测定和报告……………11

6.6环境条件的报告……………………11

6.7其他可报告参数……………………11

参考文献……………………13

Ⅰ

/—

GBT440042024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

本文件修改采用:《有机晶体管和材料表征试验方法》。

IEC628602013

本文件与:相比做了下述结构调整:

IEC628602013

———第章对应:中的;

1IEC6286020131.1

———增加了第章规范性引用文件;

2

———第章对应:中的第章;

3IEC6286020132

———,;

调整了3.1中术语和定义的编排顺序以符合术语条目按照概念层级分类和编排的原则

———第章对应:中的;

4IEC6286020131.3

———第章对应:中的;

5IEC6286020133.2~3.3

———对应:中的;

6.1IEC6286020133.4.1

———对应:中的;

6.2IEC6286020133.1

———对应:中的;

6.3~6.5IEC6286020133.4.2~3.4.4

———对应:中的;

6.6IEC6286020133.4.5

———对应:中的;

6.7IEC6286020133.4.6

———参考文献对应:中的附录。

IEC628602013A

本文件与:的技术差异及其原因如下:

IEC628602013

———:“”,/—;

删除了中目的以符合中的规定

IEC6286020131.2GBT1.12020

———:,/—(

将中引导语的第二句改为注以符合中的规定见

IEC6286020132.1GBT1.12020

3.1);

———“”“”“”“”“”“”“

删除了术语开启电压底接触器件底栅器件顶接触器件顶栅器件激励电压大地

”“/”“”,;

接地电磁干扰射频干扰亚阈值摆幅因为本文件中这些术语仅使用了一次

———删除了缩略语、、、、、、和,因为本文件未使用这些缩

EMIIEEENISTOETOSTPFETRFIUV

略语。

本文件做了下列编辑性改动:

———,《》;

为与现有标准协调将标准名称改为纳米技术有机晶体管和材料表征试验方法

———()();

增加了公式公式中符号的说明及单位

1~5

———:,。

由于中的附录不适用于本文件删除了资料性附录

IEC628602013BB

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由中国科学院提出。

(/)。

本文件由全国纳米技术标准化技术委员会SACTC279归口

:、、、

本文件起草单位深圳市德方纳米科技股份有限公司国家纳米科学中心深圳大学中国科学院上

、、、

海微系统与信息技术研究所中国科学院微电子研究所深圳市德方创域新能源科技有限公司中国计

量大学。

:、、、、、、、、、、

本文件主要起草人孔令涌葛广路翟永彪高洁宋志棠夏洋王远航孙言陈小刚金青青

、、、、、。

邱志平裴现一男陈心怡何萌张淑琴钟丽坤

Ⅲ

/—

GBT440042024

引言

。,

本文件涵盖了有机晶体管电学特性表征的推荐方法和报告要求由于有机晶体管的特性如果操

,。,,

作不当会引入较大的测量误差本文件描述了常见的测量误差来源并给出了推荐的操作方法以最

/。

小化和或表征每种测量的影响

,,,

为了使分析报告数据规范化本文件还给出了报告要求包括环境条件和样本量的描述以便研究

。,。

人员可恰当地评估结果这些报告要求还支持结果的可重复性分析以便更有效地确认新的发现

。

本文件旨在促进有机晶体管从实验室向产业化发展标准化的表征方法和报告要求为信息的有效

,。

比较提供了一种手段并为生产制造奠定了基础

Ⅳ

/—

GBT440042024

纳米技术

有机晶体管和材料表征试验方法

1范围

,、。

本文件描述了一种表征有机晶体管的方法包括测量技术数据报告方法和表征过程的测试条件

本文件适用于有机晶体管的电学特性测量。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

、

3术语定义和缩略语

3.1术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

:。

注对于本条中未定义的术语参考IEEE100

3.1.1

源极source

电流由半导体沟道的电导率控制的器件电极。

:。

注器件内的所有电压通常以源极上的电压为参考

3.1.2

漏极drain

电流由半导体沟道的电导率控制的器件电极。

:。。,

注漏极通常与源极是相同的漏极相对于源极的偏压符号取决于多数载流子的性质偏压对电子而言更正对

空穴而言更负。

3.1.3

栅极ate

g

施加电压后能够控制流经源极和漏极之间的半导体沟道电流的器件电极。

3.1.4

块体bulk

与衬底的电气连接。

:。,

注通常仅在器件测试时通过接地平台对块体施加偏置电压通过衬底的电流通常忽略不计因此大多数情况

,。,。

下在器件工作过程中不会对块体施加电压但是在单个器件测试过程中需验证电流是否忽略不计由于大

(),。

多数的有机场效应晶体管OFET都位于绝缘衬底上因此通常会忽略块体的电学特性

3.1.5

特性characteristic

(),()()。

栅源电压3.1.10不变时漏源电流3.1.16与漏源电压3.1.9之间的关系

:()。

注见输出特性曲线3.1.8

1