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  • SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 现行
    SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数
    译：SJ/T 2658.13-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 13: Radiated Power Temperature Coefficient
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 现行
    SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
    译：SJ/T 2658.7-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 7: Radiant Flux
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 现行
    SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
    译：SJ/T 2658.8-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 8: Radiant Intensity
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 现行
    SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间
    译：SJ/T 2658.11-2015 Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes - Part 11: Response time
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 现行
    SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
    译：SJ/T 2658.2-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 2: Forward Voltage。
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01
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  • SJ/T 2354-2015 ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法 现行
    SJ/T 2354-2015 ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法
    译：SJ/T 2354-2015 Pin and avalanche photodiode testing methods
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.180印制电路和印制电路板 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 现行
    SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
    译：SJ/T 2214-2015 Testing methods for semiconductor photo-diodes and photo-transistors
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则 现行
    SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则
    译：SJ/T 11485-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范 现行
    SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范
    译：SJ/T 11486-2015 SJ/T 11486-2015 Small Power LED Chip Technical Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法 现行
    SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
    译：SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L50/54光电子器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范 现行
    SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范
    译：SJ/T 2216-2015 Silicon photodiode technology specification
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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  • SJ/T 2217-2014 硅光电晶体管技术规范 现行
    SJ/T 2217-2014 硅光电晶体管技术规范
    译：SJ/T 2217-2014 Silicon phototransistor technology specification
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01
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  • SJ/T 11466-2014 红外遥控接收放大器 现行
    SJ/T 11466-2014 红外遥控接收放大器
    译：SJ/T 11466-2014 infrared remote control receiver amplifier
    【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L52红外器件
    发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2014-05-06 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.4-2013 光电池测量方法 第4部分：照度-电流特性 现行
    JB/T 9478.4-2013 光电池测量方法 第4部分：照度-电流特性
    译：JB/T 9478.4-2013 Light-emitting diode (LED) measurement methods - Part 4: Illuminance-current characteristics
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.3-2013 光电池测量方法 第3部分：光电转换效率 现行
    JB/T 9478.3-2013 光电池测量方法 第3部分：光电转换效率
    译：JB/T 9478.3-2013 Light-emitting diode measurement methods - Part 3: Photovoltaic conversion efficiency
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.5-2013 光电池测量方法 第5部分：积分灵敏度 现行
    JB/T 9478.5-2013 光电池测量方法 第5部分：积分灵敏度
    译：JB/T 9478.5-2013 Light-emitting diode (LED) measurement methods - Part 5: Integral sensitivity
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.10-2013 光电池测量方法 第10部分：上升时间、下降时间 现行
    JB/T 9478.10-2013 光电池测量方法 第10部分：上升时间、下降时间
    译：JB/T 9478.10-2013 Light-emitting diode (LED) measurement methods - Part 10: Rise time, fall time
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.8-2013 光电池测量方法 第8部分：光谱灵敏度 现行
    JB/T 9478.8-2013 光电池测量方法 第8部分：光谱灵敏度
    译：JB/T 9478.8-2013 Photocell measurement method - Part 8: Spectral sensitivity
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.9-2013 光电池测量方法 第9部分：光谱响应特性 现行
    JB/T 9478.9-2013 光电池测量方法 第9部分：光谱响应特性
    译：JB/T 9478.9-2013 Light-emitting-diode (LED) measurement methods - Part 9: Spectral response characteristics
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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  • JB/T 9478.1-2013 光电池测量方法 第1部分：总则 现行
    JB/T 9478.1-2013 光电池测量方法 第1部分：总则
    译：JB/T 9478.1-2013 Photocell measurement methods - Part 1: General principles
    【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件
    发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01
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