适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等

适用范围：主要技术内容:本文件规定了功率放大器（Power Amplifier）芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于功率放大器（Power Amplifier）芯片的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用于抑制浪涌电流的MF72普通功率型负温度系数热敏电阻器的型号命名、外形结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本文件适用于用于抑制浪涌电流的MF72普通功率型负温度系数热敏电阻器（以下简称热敏电阻器）的设计、制造、检验和验收

适用范围：主要技术内容:本文件规定了硬件类制造业创新成果产业化成熟度的评价内容及等级划分，描述了对应的评价方法，确立了评价流程。本文件适用于硬件类制造业创新成果产业化成熟度第三方评价。其他评价方可参照使用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了无损检测-焊缝涡流阵列检测技术规范的术语和定义、缩略语、方法概要、书面规程、人员资格、检测设备、应用要求、技术、校验和校准、检测要求、检测结果评定、验收准则、文件。本文件适用于铁磁和非铁磁焊缝表面断裂缺陷和长度定量的检测

适用范围：主要技术内容:本标准规定了聚四氟乙烯基材的高频印制电路板的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存、质量承诺。本标准适用于通讯电子、汽车电子、5G通信、电子对抗等领域的聚四氟乙烯基材的高频印制电路板（以下简称“印制电路板”）

适用范围：范围:本标准规定了激光封接玻璃-金属时可伐合金的预氧化工艺的术语和定义、分类与命名、技术要求、检测方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准仅适用于激光封接玻璃-金属封接体材料中的可伐合金，封接的时候玻璃为硼硅玻璃，即合金为铁-镍-钴合金，该合金的线膨胀系数接近硼硅玻璃。其中激光是指波长为800-1100 nm波长的激光; 主要技术内容:预氧化 Pre-oxidation在金属表面形成一层致密的金属氧化膜，为后续高温封接或激光封接（焊接）提供金属、金属氧化物、溶入玻璃的金属氧化物、玻璃的连接过渡，使金属与玻璃紧密结合，确保封接气密性和强度的工艺技术

适用范围：主要技术内容:本标准规定了MEMS高深宽比结构深度光谱反射测量的测量原理、测量设备、测量要求、测量方法、测量结果的不确定度评定、合成相对不确定度评定、扩展相对不确定度评定以及测试报告等内容。本标准适用于多种半导体材料上MEMS高深宽比刻蚀结构的深度测量。刻蚀结构包括但不限于单体和阵列的沟槽、柱和孔等

适用范围：范围:本文件规定了微纳米金属烧结连接件剪切强度的测试方法。 本文件适用于微纳米金属烧结连接件剪切强度的测定和失效模式判定（如果出现失效），用于微纳米金属材料的测试评价及相关领域的从业者; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升。剪切强度作为微纳米金属烧结件主要的性能指标之一，其测试方法广受关注。因微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未针对使用该技术制备的烧结件制定专门的的剪切强度测试方法标准。传统焊料剪切强度较低，其测试方法标准和强度判定规则不再适用。同时，因行业内各单位的测试仪器型号不同，样品规格、测试条件、操作步骤等条件也各有不同，这使得产业内从业人员无法在统一的条件下比较微纳米金属烧结件的剪切强度性能。希望借此标准的制定，有效规范行业内测试方法，使得各测试参数可有效比对，助力微纳金属烧结技术的产业化发展

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电子设备用相变储能膜的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于电子设备用相变储能膜（以下简称“储能膜”）