• SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法 废止
    译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 现行
    译:SJ/T 11488-2015 Resistivity, Hall coefficient, and mobility testing methods for semi-insulating gallium arsenide
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 现行
    译:SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片 现行
    译:SJ/T 11470-2014 LED Extrusion Sheet
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法 现行
    译:SJ/T 11471-2014 SJ/T 11471-2014 Test Methods for Epitaxial Layers of Light Emitting Diodes (LEDs)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片 废止
    译:SJ/T 11396-2009 Gallium nitride-based light-emitting diode with sapphire substrate sheet
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2009-11-17 | 实施时间: 2010-01-01