适用范围：本文件规定了常规照明和显示用单分散发光纳米材料的基本要求和光学要求，以实现发光纳米材料生产过程的可靠量产和质量控制。 依据本文件，客户可以采用标准化的方式对发光纳米材料提出明确要求，并用标准测量方法进行验证。 本文件不适用于发光纳米材料混合物或聚集体。

适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片（以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。

适用范围：本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。

适用范围：本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶（以下简称硅多晶)。

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅衬底的生产环境要求、原材料要求、生产设备要求、工艺流程、质量控制、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于碳化硅衬底生产; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底的生产环境要求、原材料要求、生产设备要求、工艺流程、质量控制、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。 本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）进行碳化硅单晶生长的过程; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件; 主要技术内容:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件

适用范围：本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片，其他晶片可参照使用

适用范围：本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯

适用范围：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了多晶硅“领跑者”标准评价的评价指标体系、评价方法及等级划分。 本文件适用于多晶硅生产企业标准水平评价，相关机构在制定企业标准“领跑者”评估方案时参照使用，企业在制定企业标准时参照使用。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了温差电致冷组件用晶棒的命名和分级、材料、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以碲化铋为基体材料，采用粉末热挤出法或区熔法制备而成的晶棒。产品主要用于温差电致冷组件

适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检测方法。本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照本文件执行

适用范围：本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。