国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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即将实施
译:GB/T 47901-2026 Gallium arsenide substrates for laser epitaxial chips适用范围:本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底的分类和牌号,技术要求,试验方法,检验规则,标志和随行文件,包装、运输和贮存,以及订货单内容。 本文件适用于传感器、光通信等领域用激光器外延芯片用砷化镓衬底(以下简称“衬底片”)的生产、检验与质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01收藏 -
即将实施
译:GB/T 47902-2026 Polished single-crystal diamond wafers适用范围:本文件规定了金刚石单晶抛光片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石单晶抛光片的生产、检验与质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01收藏 -
现行
译:T/CWDPA 153-2026 Technical specification for cold material treatment equipment in copper smelting process【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-25 | 实施时间: 2026-05-25收藏 -
现行
译:T/CWDPA 154-2026 Technical specifications for the automatic inspection system of copper-based ingot specimens【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-25 | 实施时间: 2026-05-25收藏 -
即将实施
译:YS/T 43-2026 Highly pure arsenic适用范围:本文件规定了高纯砷的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于质量分数不小于 99.999%的高纯砷的生产、检测及质量评价,产品主要用于制造砷化镓等化合物半导体材料、外延源以及半导体掺杂剂等【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
即将实施
译:YS/T 1853-2026 Fluidized bed method for granular silicon with seed crystal适用范围:本文件规定了流化床法颗粒硅生长用籽晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以硅多晶为原料,通过筛分或研磨加工成的籽晶,产品主要用于硅烷流化床法生长颗粒硅【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01收藏 -
即将实施
译:GB/T 47404-2026 Monocrystalline silicon carbide适用范围:本文件规定了碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于300 mm的4 H及6 H碳化硅单晶。 注:产品主要用于制作碳化硅单晶抛光片,广泛用于制作电力电子器件、射频微波器件及发光二极管(LED)发光器件。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
现行
译:GB/T 26071-2026 Monocry stallinesilicon and wafers for solar cells适用范围:本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01收藏 -
现行
译:GB/T 35305-2026 Gallium arsenide monocrystalline and monocrystalline polished wafers for solar cell适用范围:本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01收藏 -
现行
译:GB/T 47097-2026 Polished monocrystalline aluminum nitride wafers适用范围:本文件规定了氮化铝单晶抛光片(以下简称“抛光片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于微波功率器件用直径为25.4 mm和50.8 mm的抛光片的生产、检验及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01收藏 -
现行
译:YS/T 1825-2025 Silane, tetramethyl for integrated circuits适用范围:本文件规定了四甲基硅烷的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于集成电路行业制造中使用的四甲基硅烷。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-12-17 | 实施时间: 2026-07-01收藏 -
现行
译:YS/T 1828-2025 Diffusion film used for doping semiconductor materials适用范围:本文件规定了半导体材料掺杂用扩散膜的术语和定义、分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于分立器件用半导体材料掺杂用扩散膜的生产和检测。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-12-17 | 实施时间: 2026-07-01收藏 -
现行
译:YS/T 1829-2025 Monocrystalline silicon polycrystalline material for zone melting适用范围:本文件规定了区熔用硅多晶材料牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以三氯氢硅或硅烷为原料生长的n 型区熔用硅多晶材料。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-12-17 | 实施时间: 2026-07-01收藏 -
现行
译:GB/Z 123.2-2025 Nanomanufacturing—Material specifications—Luminescent nanomaterials—Part 2:Detail specification for general lighting and display applications适用范围:本文件规定了常规照明和显示用单分散发光纳米材料的基本要求和光学要求,以实现发光纳米材料生产过程的可靠量产和质量控制。 依据本文件,客户可以采用标准化的方式对发光纳米材料提出明确要求,并用标准测量方法进行验证。 本文件不适用于发光纳米材料混合物或聚集体。【国际标准分类号(ICS)】 :07.030物理学、化学 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-03 | 实施时间: -收藏 -
现行
译:GB/T 30858-2025 Polished mono-crystalline sapphire substrate wafer适用范围:本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片(以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-10-31 | 实施时间: 2026-05-01收藏 -
现行
译:GB/T 30856-2025 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围:本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-08-01 | 实施时间: 2026-02-01收藏 -
现行
译:GB/T 25074-2025 Solar-grade polycrystalline silicon适用范围:本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶(以下简称硅多晶)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-06-30 | 实施时间: 2026-01-01收藏 -
现行
译:DB15/T 4057-2025 DB15/T 4057-2025 Greenhouse gas quantification method and requirements for carbon footprint of silicon products【国际标准分类号(ICS)】 :77.150.99其他有色金属产品 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属发布单位或类别:(CN-DB15)内蒙古自治区地方标准 | 发布时间: 2025-06-06 | 实施时间: 2025-07-06收藏 -
现行
译:SJ/T 11994-2025 Portable photovoltaic module【国际标准分类号(ICS)】 :27.160太阳能工程 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01收藏 -
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译:YS/T 1741-2025 Silicon-based polycrystalline reduction furnace using silicon nitride products适用范围:适用于气压烧结、无压烧结工艺制备的氮化硅制品的测试、检验和评价。【国际标准分类号(ICS)】 :77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01收藏
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