GB/T 30858-2025 蓝宝石单晶衬底抛光片
GB/T 30858-2025 Polished mono-crystalline sapphire substrate wafer
基本信息
本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。
发布历史
-
2014年07月
-
2025年10月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 天通银厦新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青岛华芯晶电科技有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、广东中图半导体科技股份有限公司、徐州凯成科技有限公司、宁夏材料研究学会、北方民族大学、深圳中机新材料有限公司
- 起草人:
- 鲁雅荣、杨诗音、康森、李素青、郑东、杭寅、张能、陆椿、韩凤兰、李宁、武金龙、董福元、陈斌
- 出版信息:
- 页数:16页 | 字数:21 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS29045
CCSH.83
中华人民共和国国家标准
GB/T30858—2025
代替GB/T30858—2014
蓝宝石单晶衬底抛光片
Polishedmono-crystallinesapphiresubstratewafer
2025-10-31发布2026-05-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T30858—2025
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替蓝宝石单晶衬底抛光片与相比除结构调
GB/T30858—2014《》,GB/T30858—2014,
整和编辑性改动外主要技术变化如下
,:
更改了适用范围见第章年版的第章
a)(1,20141);
更改了亮点的定义见年版的删除了蓝宝石等术语和定义见年版
b)“”(3.3,20143.5),“”(2014
的并增加了沾污橘皮的术语和定义见和
3.1~3.4),“”“”(3.13.2);
增加了总则见第章
c)(4);
更改了总杂质含量的要求见年版的
d)(5.1,20144.1);
更改了结晶完整性的要求见年版的
e)(5.2,20144.2);
删除了生长方法的要求见年版的
f)(20144.3);
更改了表面取向及主参考面取向或主参考槽取向的要求并删除了图图见年
g),1、2(5.3,2014
版的
4.4);
更改了尺寸及允许偏差的要求见年版的
h)(5.4.1,20144.5);
增加了参考槽的尺寸及允许偏差的要求和参考槽的结构图见
i)(5.4.2);
更改了背表面粗糙度的要求见年版的
j)(5.6,20144.7);
更改了正表面缺陷的要求见年版的
k)(5.7,20144.8);
更改了背表面缺陷的要求见年版的
l)(5.8,20144.9);
更改了颗粒度的要求见年版的
m)(5.9,20144.10);
更改了总杂质含量结晶完整性表面取向及主参考面取向或主参考槽取向尺寸及允许偏差
n)、、、、
正表面粗糙度的试验方法见第章年版的第章
(6,20145);
更改了组批的要求见年版的
o)(7.2,20146.2);
更改了检验项目及取样的要求见年版的
p)(7.3、7.4,20146.3);
更改了检验结果的判定方法见年版的
q)(7.5,20146.4);
更改了标志的内容见年版的
r)(8.1,20147.1);
更改了包装的内容见年版的
s)(8.2,20147.2);
增加了随行文件的内容见
t)(8.5)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位天通银厦新材料有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司青岛华芯晶
:、、
电科技有限公司中国科学院上海光学精密机械研究所广东中图半导体科技股份有限公司徐州凯成
、、、
科技有限公司宁夏材料研究学会北方民族大学深圳中机新材料有限公司
、、、。
本文件主要起草人鲁雅荣杨诗音康森李素青郑东杭寅张能陆椿韩凤兰李宁武金龙
:、、、、、、、、、、、
董福元陈斌
、。
本文件于年首次发布本次为第一次修订
2014,。
Ⅰ
GB/T30858—2025
蓝宝石单晶衬底抛光片
1范围
本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片以下简称蓝宝石衬底片的技术要求试验方法检验规
(“”)、、
则标志包装运输贮存随行文件和订货单内容
、、、、、。
本文件适用于直径不大于的蓝宝石衬底片产品主要用于外延生长半导体薄膜生产蓝
200mm。、
宝石图形化衬底蓝宝石键合衬底等
、。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
产品几何技术规范表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值
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计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样
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计划
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GB/T6624
硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13387
半导体晶片直径测试方法
GB/T14140
半导体材料术语
GB/T14264
硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T19921
洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级
GB/T25915.1—20211:
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T29505
蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T30857
蓝宝石单晶晶棒
GB/T31092
蓝宝石衬底片翘曲度测试方法
GB/T31352
蓝宝石衬底片弯曲度测试方法
GB/T31353
多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法
GB/T33236
蓝宝石单晶位错密度测量方法
GB/T33763
蓝宝石单晶晶向测定方法
GB/T34210
蓝宝石晶体射线双晶衍射摇摆曲线测量方法
GB/T34612X
硅片边缘轮廓检验方法
YS/T26
3术语和定义
和界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T14264GB/T31092。
31
.
沾污contaminant
非有意地附加到蓝宝石衬底片表面上的物质
。
1
定制服务
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