GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法
GB/T 14140-2025 Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
基本信息
本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试,测试范围为标称直径不大于300 mm。本文件不适用于测试晶片的不圆度。
发布历史
-
2009年10月
-
2025年08月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 麦斯克电子材料股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司、青岛华芯晶电科技有限公司、深圳德芯微电股份有限公司、浙江材孜科技有限公司、河南省惠丰金刚石有限公司、杭州朗迅科技股份有限公司、杭州芯云半导体集团有限公司
- 起草人:
- 田素霞、陈卫群、李素青、张亮、邵奇、郭可、朱晓彤、王江华、饶伟星、张海英、冯天、晏阳、曹建伟、刘薇、肖燕青、冯黎明、王明华、王志强、徐振、李志凯、丁盛峰
- 出版信息:
- 页数:12页 | 字数:15 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77040
CCSH.17
中华人民共和国国家标准
GB/T14140—2025
代替GB/T14140—2009GB/T30866—2014
,
半导体晶片直径测试方法
Testmethodformeasuringdiameterofsemiconductorwafer
2025-08-01发布2026-02-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T14140—2025
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替硅片直径测量方法和碳化硅单晶片直径测
GB/T14140—2009《》GB/T30866—2014《
试方法本文件以为主整合了的内容与
》,GB/T14140—2009,GB/T30866—2014。GB/T14140—
相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
2009,,:
删除了光学投影法见的方法
a)(GB/T14140—20091);
更改了范围见第章的第章第章
b)(1,GB/T14140—20091、13);
更改了术语和定义见第章的第章
c)(3,GB/T14140—200915);
增加了轮廓仪法见第章
d)(4);
更改了千分尺法的方法原理见的第章
e)(5.1,GB/T14140—200916);
增加了千分尺法测试时测微螺杆变形的干扰因素见
f)(5.2.5);
更改了千分尺法的直径测试位置见的
g)(5.6.1,GB/T14140—200920.2);
更改了千分尺法的精密度见的第章
h)(5.8,GB/T14140—200923);
更改了千分尺法的试验报告见的第章
i)(5.9,GB/T14140—200924);
增加了游标卡尺法见第章
j)(6)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位麦斯克电子材料股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司山东有
:、、
研艾斯半导体材料有限公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司浙江
、、、
金瑞泓科技股份有限公司上海新昇半导体科技有限公司湖州东尼半导体科技有限公司浙江晶盛机
、、、
电股份有限公司广东天域半导体股份有限公司广东先导微电子科技有限公司青岛华芯晶电科技有
、、、
限公司深圳德芯微电股份有限公司浙江材孜科技有限公司河南省惠丰金刚石有限公司杭州朗迅科
、、、、
技股份有限公司杭州芯云半导体集团有限公司
、。
本文件主要起草人田素霞陈卫群李素青张亮邵奇郭可朱晓彤王江华饶伟星张海英
:、、、、、、、、、、
冯天晏阳曹建伟刘薇肖燕青冯黎明王明华王志强徐振李志凯丁盛峰
、、、、、、、、、、。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为
:
年首次发布为和
———1993GB/T14140.1—1993GB/T14140.2—1993;
年第一次修订时合并为
———2009GB/T14140—2009;
本次为第二次修订并入了碳化硅单晶片直径测试方法的内容
———,GB/T30866—2014《》。
Ⅰ
GB/T14140—2025
半导体晶片直径测试方法
1范围
本文件描述了用轮廓仪法千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法
、。
本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试测试范围为标称直径不大于本文件不适用
,300mm。
于测试晶片的不圆度
。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体材料术语
GB/T14264
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4轮廓仪法
41方法原理
.
将被测晶片放在平坦洁净的吸盘或晶片边缘夹持装置上沿规定的图形在两个相对探头之间运
、,
动探头对晶片表面进行扫描照在晶片边缘测试点及切口位置获得经过中心点直线上边缘每点的数
。,,
据计算一系列成对边缘位置点的距离得出晶片的直径
。,。
42干扰因素
.
421晶片洁净度可能会对扫描结果产生干扰对测试结果有影响
..,。
422晶片边缘波纹或参差不齐等对测试结果有影响
..。
423设备校准不准确会引入测试结果的偏差
..,。
424设备的定位精度会影响测试位置从而影响采样点的位置可能导致测试结果错误
..,,。
425测试设备的参数设置不同对测试结果有影响
..。
43试验条件
.
测试应在下列环境中进行
。
温度
a):23℃±5℃。
相对湿度
b):(50±20)%。
44仪器设备
.
441边缘轮廓测试仪应包含以下部件
..,。
1
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