国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译：YS/T 1740-2025 Electron-grade trichlorosilane chemical vapor deposition evaluation method【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏 -
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译：YS/T 1754-2025【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 1768-2025 Determination of Surface Impurity Content of Graphite Products Used for Silicon Polycrystalline Production by Inductively Coupled Plasma Spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 526-2025 Nickel boron silicon self-fluxing alloy powder【国际标准分类号(ICS)】 ：77.160粉末冶金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 1755-2025 Determination of Total Metal Impurity Content in Granular Silicon by Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS)【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 1747-2025 Determination of hydrogen content in silicon materials using inert gas fusion thermometry【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 983-2024适用范围：本文件适用于三氯氢硅法生产硅多晶还原炉尾气成分的测定【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2024-10-24 | 实施时间： 2025-05-01收藏
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译：YS/T 981.1-2024适用范围：本文件适用于高纯铟中痕量杂质元素含量的测定【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2024-10-24 | 实施时间： 2025-05-01收藏
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译：YS/T 1703-2024适用范围：本文件适用于直径100mm、125mm、150mm、200mm、300mm的硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他材质的半导体晶片包装片盒颗粒洁净度的测试【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2024-10-24 | 实施时间： 2025-05-01收藏
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译：GB/T 1558-2023 Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption适用范围：本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-12-28 | 实施时间： 2024-07-01收藏
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译：YS/T 1654-2023 The method of chemical analysis for the determination of trace impurity element content using glow discharge mass spectrometry for nitrogen-doped gallium chemical analysis适用范围：本文件适用于氮化镓中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-12-20 | 实施时间： 2024-07-01收藏
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译：GB/T 24582-2023 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method适用范围：本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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译：GB/T 35306-2023 Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method适用范围：本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。 本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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译：YS/T 38.3-2023 The Chemical Analysis of High Purity Gallium - Part 3: Determination of Trace Impurity Element Content - Glow Discharge Mass Spectrometry适用范围：本文件适用于高纯镓中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-04-21 | 实施时间： 2023-11-01收藏
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译：YS/T 1600-2023 Determination of Trace Impurity Element Content in Silicon Carbide Single Crystals Using Plasma-Based Mass Spectrometry适用范围：本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-04-21 | 实施时间： 2023-11-01收藏
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译：YS/T 1601-2023 Determination of impurity content in hexachloroethane silane by inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本文件适用于六氯乙硅烷中杂质元素含量的测定，各元素测定范围为0.01 ng/g～50 ng/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-04-21 | 实施时间： 2023-11-01收藏
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译：GB/T 42276-2022 Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method适用范围：本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 42274-2022 Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium,gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。 注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 42263-2022 Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method适用范围：本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 37211.3-2022 Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3:Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry适用范围：本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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