GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

GB/T 24582-2023 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method

国家标准 中文简体 现行 页数:6页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 24582-2023
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定,测定范围为0.01 ng/g。

研制信息

起草单位:
亚洲硅业(青海)股份有限公司、内蒙古通威高纯晶硅有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司
起草人:
尹东林、郑连基、刘军、魏东亮、蔡延国、李素青、侯海波、田洪先、刘文明、薛心禄、王彬、于生海、徐岩、曹岩德、姜士兵、邱艳梅、赵培芝、万首正、赵娟龙、申梅桂、刘海月、王春明
出版信息:
页数:6页 | 字数:13 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH17

中华人民共和国国家标准

/—

GBT245822023

代替/—

GBT245822009

多晶硅表面金属杂质含量测定

酸浸取电感耦合等离子体质谱法

-

Testmethodformeasurinsurfacemetalimuritcontentofolcrstalline

gpypyy

siliconAcidextraction-inductivelcouledlasmamasssectrometrmethod

ypppy

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT245822023

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

/—《》,

本文件代替酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质与

GBT245822009-

/—,,:

GBT245822009相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

)(,);

更改了适用范围见第章年版的第章

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删除了术语与缩略语见年版的第章

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更改了方法原理见第章年版的第章

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