GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质

ICS29.045

H80

中华人民共和国国家标准

GB/T24582—2009

酸浸取■电感耦合等离子质谱仪测定

多晶硅表面金属杂质

Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationofpolycrystallinesilicon

byacidextraction-inductivelycoupledplasmamassspectrometry

2009-10-30发布2010-06-01实施

发布

GB/T24582—2009

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口

本标准负责起草单位:新光硅业科技责任有限公司。

本标准主要起草人：王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平。

I

GB/T24582—2009

酸浸取■电感耦合等离子质谱仪测定

多晶硅表面金属杂质

1范围

1.1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表

面上的金属杂质痕量分析方法。

1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镰、铜、锌以及其他元素如铝

的检测。

1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积

很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50g~300g,检测限为0.01ng/mLo

1.4酸的浓度、组成、温度和浸取吋间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方

法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。

1.5本标准适用于重量为25g〜5000g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的

重量为约300go

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

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3术语、定义和缩略语

3.1术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1.1

酸空白acidblank

用来做空白的酸以及操作中含有微量金属杂质的浸取酸。

3.1.2

浸取空白digestedblank

不加样品，经过浸取和分析过程的一个酸样品，用于监控分析过程，包括酸的纯度、浸取瓶的洁净

度、交叉污染和环境洁净度。

3.1.3

浸取控制标准digestedcontrolstandard

制备的已知浓度的被分析元素的样品，以对仪器和浸取过程校准检查。

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