适用范围：本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶（以下简称硅多晶)。

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅衬底的生产环境要求、原材料要求、生产设备要求、工艺流程、质量控制、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于碳化硅衬底生产; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底的生产环境要求、原材料要求、生产设备要求、工艺流程、质量控制、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。 本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）进行碳化硅单晶生长的过程; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件; 主要技术内容:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件

适用范围：本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片，其他晶片可参照使用

适用范围：本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯

适用范围：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了多晶硅“领跑者”标准评价的评价指标体系、评价方法及等级划分。 本文件适用于多晶硅生产企业标准水平评价，相关机构在制定企业标准“领跑者”评估方案时参照使用，企业在制定企业标准时参照使用。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了温差电致冷组件用晶棒的命名和分级、材料、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以碲化铋为基体材料，采用粉末热挤出法或区熔法制备而成的晶棒。产品主要用于温差电致冷组件

适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检测方法。本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照本文件执行

适用范围：本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

适用范围：本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。

适用范围：本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数

适用范围：范围:本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。 本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征; 主要技术内容:本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征