T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法
T/IAWBS 020-2024 Carbon-dioxide outer-growth layer deep energy level defect testing: Transient capacitance method
团体标准
中文(简体)
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
T/IAWBS 020-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2024-02-27
实施日期
2024-03-05
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数
发布历史
-
2024年02月
文前页预览
当前资源暂不支持预览
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院半导体研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京粤海金半导体技术有限公司
- 起草人：
- 闫果果、刘兴昉、郑红军、刘振洲
- 出版信息：
- 页数：- | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
定制服务
推荐标准
- T/QGCML 1910-2023 低磁剂及复活催化剂 2023-10-25
- T/CASME 648-2023 节能型变压吸附制氮设备 2023-08-25
- T/QGCML 985-2023 光伏专用焦锑酸钠生产工艺流程 2023-06-30
- T/QAS 016-2020 氯化钾中Na、Ca、Mg含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 2020-10-26
- T/DYZL 17-2019 工业无水氯化铝 2019-11-25
- T/JSSES 9-2020 基于己内酰胺低聚物的复配水煤浆添加剂 2020-08-11
- T/STHZP 0013-2017 洁面摩丝 2017-04-08
- T/JSQA 134-2022 叔丁醇钾 2022-05-05
- T/ZHCA 017-2022 头发生长期与休止期数量比值测试方法 2022-04-30
- T/LYFFA 006-2019 浏阳花炮 传统小型产品 飞天鼠 2019-03-11