T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法
T/IAWBS 020-2024 Carbon-dioxide outer-growth layer deep energy level defect testing: Transient capacitance method
团体标准
中文(简体)
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
T/IAWBS 020-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2024-02-27
实施日期
2024-03-05
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数
发布历史
-
2024年02月
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研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院半导体研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京粤海金半导体技术有限公司
- 起草人：
- 闫果果、刘兴昉、郑红军、刘振洲
- 出版信息：
- 页数：- | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
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