适用范围：本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底的分类和牌号,技术要求,试验方法,检验规则,标志和随行文件,包装、运输和贮存,以及订货单内容。 本文件适用于传感器、光通信等领域用激光器外延芯片用砷化镓衬底(以下简称“衬底片”)的生产、检验与质量评价。

适用范围：本文件规定了直径300 mm硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于在直径300 mm硅抛光片衬底上生长的硅外延片。产品用于制作线宽14 nm及以上集成电路和分立器件。

适用范围：本文件规定了金刚石单晶抛光片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石单晶抛光片的生产、检验与质量评价。

适用范围：本文件规定了高纯砷的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于质量分数不小于 99.999%的高纯砷的生产、检测及质量评价，产品主要用于制造砷化镓等化合物半导体材料、外延源以及半导体掺杂剂等

适用范围：本文件规定了流化床法颗粒硅生长用籽晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以硅多晶为原料，通过筛分或研磨加工成的籽晶，产品主要用于硅烷流化床法生长颗粒硅

适用范围：本文件规定了碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于300 mm的4 H及6 H碳化硅单晶。 注:产品主要用于制作碳化硅单晶抛光片,广泛用于制作电力电子器件、射频微波器件及发光二极管(LED)发光器件。

适用范围：本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片。

适用范围：本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产、检测及质量评价。

适用范围：本文件规定了氮化铝单晶抛光片(以下简称“抛光片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容，描述了相应的试验方法。 本文件适用于微波功率器件用直径为25.4 mm和50.8 mm的抛光片的生产、检验及质量评价。

适用范围：本文件规定了四甲基硅烷的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于集成电路行业制造中使用的四甲基硅烷。

适用范围：本文件规定了半导体材料掺杂用扩散膜的术语和定义、分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于分立器件用半导体材料掺杂用扩散膜的生产和检测。

适用范围：本文件规定了区熔用硅多晶材料牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以三氯氢硅或硅烷为原料生长的n 型区熔用硅多晶材料。

适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片（以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。

适用范围：本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。

适用范围：本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶（以下简称硅多晶)。

适用范围：范围:本文件适用于以高纯等静压石墨为基材，经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品; 主要技术内容:本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存等内容

适用范围：主要技术内容:本文件规定了Sn-Bi 高质量低温焊接材料的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于Sn-Bi 高质量低温焊接材料的生产和检验

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。 本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等

适用范围：范围:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。 本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验; 主要技术内容:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验

适用范围：范围:本文件规定了低温共烧陶瓷（LTCC）滤波器（以下简称“滤波器”）的产品分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存。 本文件适用于利用低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制作的无源低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等元件; 主要技术内容:本文件规定了低温共烧陶瓷（LTCC）滤波器（以下简称“滤波器”）的产品分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存。本文件适用于利用低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制作的无源低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等元件