适用范围：本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶（以下简称硅多晶)。

适用范围：范围:本文件适用于以高纯等静压石墨为基材，经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品; 主要技术内容:本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存等内容

适用范围：主要技术内容:本文件规定了Sn-Bi 高质量低温焊接材料的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于Sn-Bi 高质量低温焊接材料的生产和检验

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。 本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等

适用范围：范围:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。 本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验; 主要技术内容:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验

适用范围：范围:本文件规定了低温共烧陶瓷（LTCC）滤波器（以下简称“滤波器”）的产品分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存。 本文件适用于利用低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制作的无源低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等元件; 主要技术内容:本文件规定了低温共烧陶瓷（LTCC）滤波器（以下简称“滤波器”）的产品分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存。本文件适用于利用低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制作的无源低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等元件

适用范围：主要技术内容:下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 13173-2021 表面活性剂 洗涤剂试验方法GB/T 15357-2014 表面活性剂和洗涤剂 旋转粘度计测定液体产品的粘度和流动性质GB/T 25915.1-2021 洁净室及相关受控环境 第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级GB/T 43793.1-2024 平板显示用彩色光刻胶测试方法 第1部分：理化性能3  术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1  线宽  critical dimension（CD）光刻过程中所形成的图形的尺寸。4  测试环境要求4.1  洁净度要求制片环节（洁净度不低于GB/T 25915.1-2021规定的ISO 7级）。测试环节（洁净度不低于GB/T 25915.1-2021规定的ISO 6级）。4.2  环境条件除非另有规定，测试应在下列条件下进行：a)环境温度：23 ℃ ± 2 ℃；b)相对湿度：30% ~ 70%；c)大气压强：86 kPa ~ 106 kPa。4.3  回温样品取出后放置于常温环境下15 min。4.4  储存要求光刻胶的储存要求如下：a)环境温度：5 ℃ ± 5 ℃；b)相对湿度：30% ~ 70%。光刻胶制得的样片（成膜前）的储存要求如下：a)环境温度：23 ℃ ± 2 ℃；b)相对湿度：30% ~ 70%。5  测试方法5.1  固含量5.1.1仪器电子天平（推荐分辨率：1 mg，重复性：0.7 mg）。5.1.2测试条件固含量测试条件应符合以下规定：a)  应符合4测试环境要求规定；b)  应在黄光条件下检测，可为实验室中光源加滤光膜，滤除500 nm以下的光波。5.1.3测试步骤参考GB/T 43793.1-2024中5固含量规定的测试方法，测试步骤如下：a)使用电子天平称量培养皿质量，精确至± 1 mg，记为m；b)取1 g ± 0.01 g样品于培养皿中，称其质量，精确至± 1 mg；记为M1；轻轻晃动容器使样品在培养皿（直径60 mm）皿底充分摊平，使其铺满底盖并保持液膜厚度均匀；c)将盛有样品的培养皿放入已预先达到测试温度（110 ℃ ± 2 ℃）的热风循环烘箱内，测试时间为1

适用范围：范围:本文件界定了半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板的术语和定义，规定了技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板; 主要技术内容:本文件界定了半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板的术语和定义，规定了技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电子元件封装测试规范的测试流程、技术要求、检验标准。本文件适用于电子封装产品测试

适用范围：主要技术内容:本文件规定了DFN封装工艺技术规范的工艺流程及要求、检验标准、包装、标识、储存与运输。本文件适用于DFN封装产品生产过程工艺指导

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅晶体的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件等内容。 本文件适用于碳化硅晶体技术; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅晶体的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件等内容。本文件适用于碳化硅晶体技术

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅衬底的生产环境要求、原材料要求、生产设备要求、工艺流程、质量控制、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于碳化硅衬底生产; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底的生产环境要求、原材料要求、生产设备要求、工艺流程、质量控制、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。 本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）进行碳化硅单晶生长的过程; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件; 主要技术内容:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件

适用范围：本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片，其他晶片可参照使用

适用范围：本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯

适用范围：范围:本文件规定了半导体CMP抛光材料的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于半导体CMP抛光材料; 主要技术内容:本文件规定了半导体CMP抛光材料的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体CMP抛光材料