适用范围：主要技术内容:本文件规定了温差电致冷组件用晶棒的命名和分级、材料、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以碲化铋为基体材料，采用粉末热挤出法或区熔法制备而成的晶棒。产品主要用于温差电致冷组件

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体石英坩埚生产用高纯石英砂的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存技术内容。本文件适用于半导体石英坩埚生产用高纯石英砂

适用范围：本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

适用范围：本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存技术内容。本文件适用于半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。 本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行

适用范围：本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。

适用范围：本文件规定了光伏硅棒产品质量及企业标准水平评价的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。 本文件适用于直拉掺杂制备的光伏单晶硅棒，用于光伏硅棒产品质量和企业标准水平评价，相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”产品评价以及相关认证或评价时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照使用。

适用范围：本文件规定了光伏硅片产品质量及企业标准水平评价的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。 本文件适用于单晶硅光伏硅片，多晶硅光伏硅片可参考使用。本文件用于光伏硅片产品质量和企业标准水平评价，相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”产品评价以及相关认证或评价时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照使用。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数

适用范围：范围:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片; 主要技术内容:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚

适用范围：主要技术内容:本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底

适用范围：范围:本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。 本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征; 主要技术内容:本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征

适用范围：本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

适用范围：本文件适用于化学气相沉积法（CVD）制备的硫化锌晶体（包括标准硫化锌和多光谱硫化锌），透过波长范围为1μm～14μm。

适用范围：本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了掺镓硅片技术生产管理办法的一般要求、生产要求、人员要求、现场管理。本文件适用于掺镓硅片技术生产管理

适用范围：主要技术内容:本文件规定了光纤激光器组件（TOSA）生产工艺规范的术语及定义、生产要求、测试要求及生产、测试工艺等。本文件适用于光纤激光器组件（TOSA）生产的主要工艺规范

适用范围：主要技术内容:本标准规定了半导体晶圆缺陷光学检测仪的术语和定义、产品型号、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存要求