GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱

GB/T 43612-2023 Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials

国家标准中文简体现行页数：49页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 43612-2023

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H80/84 半金属与半导体材料

国际标准分类号（ICS）

29.045 半导体材料

发布日期

2023-12-28

实施日期

2024-07-01

发布单位/组织

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

适用范围

本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

发布历史

2023年12月

GB/T 43612-2023　碳化硅晶体材料缺陷图谱

当前标准现行 2023-12-28

文前页预览

研制信息

起草单位：: 广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司

起草人：: 丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平

出版信息：: 页数：49页 | 字数：94 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS29.045

CCSH80

中华人民共和国国家标准

/—

GBT436122023

碳化硅晶体材料缺陷图谱

Collectionofmetallorahsondefectsinsiliconcarbidecrstalmaterials

gpy

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT436122023

前言…………………………Ⅰ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4缩略语……………………2

5碳化硅晶体材料缺陷……………………2

5.1晶锭缺陷……………2

5.2衬底缺陷……………4

5.3外延缺陷……………8

5.4工艺缺陷……………12

6缺陷图谱…………………13

6.1晶锭缺陷图谱………………………13

6.2衬底缺陷图谱………………………14

6.3外延缺陷图谱………………………22

6.4工艺缺陷图谱………………………41

参考文献……………………44

索引…………………………45

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引用标准

GB/T 14264

GB/T 14264-2024 半导体材料术语

现行

GB/T 14264-1993 半导体材料术语

被代替

GB/T 14264-2009 半导体材料术语