GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
GB/T 43612-2023 Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
国家标准
中文简体
现行
页数：49页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 43612-2023
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
发布历史
-
2023年12月
研制信息
- 起草单位：
- 广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
- 起草人：
- 丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平
- 出版信息：
- 页数：49页 | 字数：94 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
CCSH80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT436122023
碳化硅晶体材料缺陷图谱
Collectionofmetallorahsondefectsinsiliconcarbidecrstalmaterials
gpy
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT436122023
目次
前言…………………………Ⅰ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4缩略语……………………2
5碳化硅晶体材料缺陷……………………2
5.1晶锭缺陷……………2
5.2衬底缺陷……………4
5.3外延缺陷……………8
5.4工艺缺陷……………12
6缺陷图谱…………………13
6.1晶锭缺陷图谱………………………13
6.2衬底缺陷图谱………………………14
6.3外延缺陷图谱………………………22
6.4工艺缺陷图谱………………………41
参考文献……………………44
索引…………………………45
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