适用范围：主要技术内容:下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 13173-2021 表面活性剂 洗涤剂试验方法GB/T 15357-2014 表面活性剂和洗涤剂 旋转粘度计测定液体产品的粘度和流动性质GB/T 25915.1-2021 洁净室及相关受控环境 第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级GB/T 43793.1-2024 平板显示用彩色光刻胶测试方法 第1部分：理化性能3  术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1  线宽  critical dimension（CD）光刻过程中所形成的图形的尺寸。4  测试环境要求4.1  洁净度要求制片环节（洁净度不低于GB/T 25915.1-2021规定的ISO 7级）。测试环节（洁净度不低于GB/T 25915.1-2021规定的ISO 6级）。4.2  环境条件除非另有规定，测试应在下列条件下进行：a)环境温度：23 ℃ ± 2 ℃；b)相对湿度：30% ~ 70%；c)大气压强：86 kPa ~ 106 kPa。4.3  回温样品取出后放置于常温环境下15 min。4.4  储存要求光刻胶的储存要求如下：a)环境温度：5 ℃ ± 5 ℃；b)相对湿度：30% ~ 70%。光刻胶制得的样片（成膜前）的储存要求如下：a)环境温度：23 ℃ ± 2 ℃；b)相对湿度：30% ~ 70%。5  测试方法5.1  固含量5.1.1仪器电子天平（推荐分辨率：1 mg，重复性：0.7 mg）。5.1.2测试条件固含量测试条件应符合以下规定：a)  应符合4测试环境要求规定；b)  应在黄光条件下检测，可为实验室中光源加滤光膜，滤除500 nm以下的光波。5.1.3测试步骤参考GB/T 43793.1-2024中5固含量规定的测试方法，测试步骤如下：a)使用电子天平称量培养皿质量，精确至± 1 mg，记为m；b)取1 g ± 0.01 g样品于培养皿中，称其质量，精确至± 1 mg；记为M1；轻轻晃动容器使样品在培养皿（直径60 mm）皿底充分摊平，使其铺满底盖并保持液膜厚度均匀；c)将盛有样品的培养皿放入已预先达到测试温度（110 ℃ ± 2 ℃）的热风循环烘箱内，测试时间为1

适用范围：适用于垂直梯度凝固法（VGF）、液封直拉法（LEC）或垂直布里奇曼法（VB）生长的，用于射频、太阳能电池领域的衬底片的生产、检验和质量评价。

适用范围：适用于光伏或半导体行业在生产、加工、使用过程中产生的硅料，用于光伏行业硅单晶产品的生产。

适用范围：范围:本文件界定了半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板的术语和定义，规定了技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板; 主要技术内容:本文件界定了半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板的术语和定义，规定了技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体封装用玻璃通孔（TGV）基板

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电子元件封装测试规范的测试流程、技术要求、检验标准。本文件适用于电子封装产品测试

适用范围：主要技术内容:本文件规定了DFN封装工艺技术规范的工艺流程及要求、检验标准、包装、标识、储存与运输。本文件适用于DFN封装产品生产过程工艺指导

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅晶体的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件等内容。 本文件适用于碳化硅晶体技术; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅晶体的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件等内容。本文件适用于碳化硅晶体技术

适用范围：本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片，其他晶片可参照使用

适用范围：本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯

适用范围：范围:本文件规定了半导体CMP抛光材料的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于半导体CMP抛光材料; 主要技术内容:本文件规定了半导体CMP抛光材料的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体CMP抛光材料

适用范围：范围:本文件规定了半导体用高纯溅射靶材的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存。 本文件适用于半导体用高纯溅射靶材; 主要技术内容:本文件规定了半导体用高纯溅射靶材的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存。本文件适用于半导体用高纯溅射靶材

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高纯多晶硅生产低碳清洁的硅烷流化床工艺与改良西门子工艺及其对比、多晶硅单位产品能源消耗限额、高纯多晶硅生产低碳指标、检测与过程控制、主要装置、主要原料、劳动安全与职业卫生、运行与维护等要求。本文件适用于我国多晶硅企业的生产审核、生产绩效评定和生产绩效公告制度，其他新建或改扩建项目环境影响评价、环保核查、行业准入等可参考使用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了光伏材料高纯多晶硅工艺技术的总体要求、工艺设计、主要工艺流程、过程工艺控制、单位产品能源消耗限额、检测与过程控制、主要辅助工程和劳动与职业卫生等方面的技术要求。本文件适用于高纯多晶硅企业的工艺路线选择，工艺技术控制，也适用于新建或改扩建项目环境行业准入

适用范围：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了终极半导体用金刚石的术语和定义、杂质与分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存。本文件适用于终极半导体用金刚石的设计、生产、检验和使用

适用范围：范围:本文件规定了高纯多晶硅提纯的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本文件适用于高纯多晶硅提纯系统; 主要技术内容:本文件规定了高纯多晶硅提纯的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本文件适用于高纯多晶硅提纯系统

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高性能晶圆(晶锭)生产技术要求的术语和定义、生产流程、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能晶圆(晶锭)的生产和检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了光伏领域管式等离子增强化学气相沉积设备用石墨舟（简称石墨舟）的术语和定义、结构和分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。本文件适用于等离子增强化学气相沉积设备（PECVD）用石墨舟

适用范围：范围:本文件适用于石墨烯产品的绿色低碳评价，为石墨烯产品的生产、销售和使用提供指导; 主要技术内容:本文件规定了绿色低碳产品评价中石墨烯的评价原则、评价要求、评价方法、评价步骤和报告

适用范围：范围:本文件适用于石墨烯制造行业生产工厂满足绿色工厂评价的基本要求，对于工厂生产相关产品评价的技术要求以石墨烯行业相关规定为准，可用于企业自我评价，第二方（相关方）或第三方组织评价; 主要技术内容:本文件规定了石墨烯制造行业绿色工厂评价的评价原则、评价要求、评价方法和评价程序、评价报告和评价结果应用等