T/IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
T/IAWBS 021-2024 Checking method for edge profile of silicon carbide wafers
团体标准
中文(简体)
现行
页数:0页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
T/IAWBS 021-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2024-04-01
实施日期
2024-04-09
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。
本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行;
主要技术内容:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行
发布历史
-
2024年04月
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研制信息
- 起草单位:
- 北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司
- 起草人:
- 佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳
- 出版信息:
- 页数:- | 字数:- | 开本: -
内容描述
暂无内容
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