适用范围：本文件适用于IEC 61969-1规定的在无气候防护场所固定使用的户外应用机壳的设计。 内部和外部协调尺寸符合IEC 60917-2。内部尺寸符合IEC 60917-2-2和IEC 60297-3-1011)规定的插箱安装尺寸。外部尺寸与IEC 60917-2相比，加大了局部尺寸以满足户外特定条件的设计要求。

适用范围：本文件包含电气和电子设备户外机壳的设计指南，广泛适用于采用模数设计安装的机械、机电和电子设备。 本文件的目的是： ——提供一个概要规范，侧重于机壳在无气候防护场所固定使用时的户外应用要求； ——在户外条件下实现产品的完整性，并简化从不同供应商采购户外机壳的产品选择。 这些机壳内可以安装任何设备并保护户外安装的设备抵御有害环境影响。所安装的设备可以是但不限于符合IEC 60917系列或IEC 60297系列的插箱或机箱。典型的户外机壳见图1。

适用范围：本文件规定了在无气候防护场所条件下安装在地面上的电气和电子设备户外机壳的一套基本的环境要求、试验以及安全要求。 本文件旨在规定环境性能的最低等级以满足贮存、运输和最终安装的要求。其目的是建立户外机壳符合性的基本环境性能标准。

适用范围：本文件界定了微电子学微光刻技术有关的微电子光刻技术，先进光刻技术，微光刻图形化和图形数据处理技术，微光刻感光材料、铬板与基板材料，光掩模技术，光刻工艺（曝光、刻蚀与微纳米加工）技术，电子束掩模制造与直写技术，光刻及掩模质量参数测量和评定，掩模制造设备和微光刻设备等术语和定义。 本文件适用于微电子学微光刻技术领域的教学、科研、生产、应用、贸易和技术交流。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器，其他类型的发射器和接收器可参考使用。

适用范围：本文件规定了直接用1 Ω阻性探头测量射频(RF)电流和150 Ω耦合网络测量RF电压以测量集成电路(IC)传导电磁发射(EME)的方法。这些方法可确保EME测量具有高度的可重复性和相关性。

适用范围：本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：本文件描述了测试参数、测试原理、测试设备、测试准备，描述了测试程序及测试结果告等内容。 本文件适用于表面浮雕结构的微透镜阵列和梯度折射率微透镜阵列几何特性的测试。

适用范围：本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。 本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。

适用范围：本文件规定了微透镜阵列中微透镜光学特性的测试原理、测试系统、测试准备，描述了测试程序及测试结果处理。 本文件适用于表面几何结构形成的微透镜阵列和梯度折射率产生的微透镜光学特性的测试。

适用范围：本文件提供了在网络条件下用于有线网络的收发器集成电路(IC)的电磁兼容性(EMC)评估的通用条件和定义。 本文件适用于IEC 62228其他部分的通用试验条件、通用试验布置以及试验和测量方法。

适用范围：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。 试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

适用范围：本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的减薄工艺(以下简称减薄工艺)过程和评价要求。 注： 1 in=2.54 cm。

适用范围：本文件规定了系统级封装（SiP）一体化基板通用要求，包括一体化基板总体要求、特性定义、设计、验证、制造、检验、交付、产品转运、贮存等方面要求。 本文件适用于系统级封装（SiP）中成为成品外壳整体一部分的底部基板。

适用范围：本文件描述了微波电路限幅器主要电参数的测试方法。 本文件适用于微波电路限幅器，包含无源限幅器、半有源限幅器、有源限幅器等。

适用范围：本文件规定了集成电路(IC)电磁兼容(EMC)宏建模的框架和方法，规定了IEC 62433其他部分中常用术语的定义、不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式。

适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz～1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

适用范围：本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。 开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

适用范围：本文件给出了几种知识产权（IP)核保护方案和策略，主要包括法律保护手段、技术保护手段和探测跟踪手段。本文件适用于IP核提供者和IP核使用者参照选择适合的IP核保护和管理方案。 本文件不涉及IP核设计流程中要使用到的电子设计自动化（EDA）工具的保护。

适用范围：本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺（以下简称划片工艺）的一般要求、详细要求和评价要求。 注： 1 in=2.54 cm。 本文件适用于12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。