适用范围：本文件规定了电光晶体的技术要求、检验规则以及产品的标识、包装、运输和贮存，描述了相应的测量方法。 本文件适用于制备电光器件的电光晶体，其他应用领域的晶体材料参照使用。

适用范围：本文件规定了微机电系统（MEMS）中硅通孔三维结构可靠性评价的样品、失效模式分类及可靠性评价项目，以及参数评价、内外部形貌评价、热应力特性评价、电应力特性评价、机械特性评价、互连特性评价和三维结构评价的要求。 本文件适用于单层或多层堆叠的TSV三维结构的可靠性评价，其中的TSV结构可以是仅通孔侧壁有金属、孔内部填实金属或孔局部填实金属。

适用范围：本文件描述了MEMS电容式麦克风圆片级和器件级性能的试验条件和试验方法。 本文件适用于在空气中使用、频率范围为20 Hz~20 kHz的MEMS电容式麦克风。

适用范围：本文件规定了声光晶体的技术要求、检验规则，以及产品的标识、包装、运输和贮存，描述了相应的测量方法。 本文件适用于制备声光器件的声光晶体，其他应用领域的晶体材料参照使用。

适用范围：本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时，电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。

适用范围：本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。 本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。

适用范围：本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号，符号，基本额定值和特性，测试方法，接收和可靠性要求。 本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括： --信号二极管（不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管）； --开关二极管（不包括大功率整流二极管）； --电压调整二极管； --电压基准二极管； --电流调整二极管。

适用范围：本文件规定了一种标准试验片，用于保证长度和宽度均小于1 mm、厚度小于10 μm的薄膜材料拉伸试验的适用性和准确性，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类器件使用的主要结构材料。 本文件为了确保拉伸试验系统的适用性和准确性，测试用标准试验片的拉伸强度应是可预计的，且在测试系统测试范围内。同时也对试验片进行了详细规定，以最小化试验片之间的性能偏差。

适用范围：本文件规定了半导体激光器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。 本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。

适用范围：本文件描述了光学元件角分辨散射的散射几何关系、测试原理、测试环境和设备、测试方法、测试报告等内容。 本文件适用于光学元件（如镀膜或未镀膜的光学元件和透明、半透明或不透明材料）在5 nm～15 μm光谱范围内角分辨散射的测试，包括围绕被测件的散射球体内的散射，通常分为前向和后向两个半球。

适用范围：本文件规定了微波二极管和晶体管的术语和定义、基本额定值和特性、测试方法及验证方法等产品特定要求。 本文件适用于以下各类微波二极管和晶体管: ———变容二极管(用于电调谐、变频器、谐波倍频器、移相器等); ———阶跃二极管(用于梳状谱发生器、倍频器等); ———混频二极管(用于混频器等); ———检波二极管(用于检波器等); ———体效应二极管(用于振荡器、放大器等); ———PIN二极管(用于开关、限幅器、移相器、衰减器等); ———噪声二极管(用于固态噪声源等); ———双极型晶体管(用于放大器、振荡器); ———场效应晶体管(用于放大器、振荡器)。

适用范围：本文件描述了长度和宽度均小于1 mm，厚度小于10 μm的薄膜材料的拉伸试验方法，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类微型器件的主要结构材料。 微机电系统、微机械和同类微型器件使用的薄膜结构材料具有一些特殊特征，如典型尺寸为微米级、材料采用淀积工艺制备、试验片通过刻蚀和光刻等非机械加工工艺制备。本文件规定的试验方法，能保证这类特殊性材料试验结果的准确性。

适用范围：本文件规定了在特殊情况下的贮存方法，产品内部包含以封装或电路板形式存在的各种类型的硅器件和半导体器件，贮存形式包括完整组装单元或子组装单元。本文件还适用于异构器件，但需特别注意组件或集成形式的存储器。 本文件提供了用户和供应商交互的指南及要求，以应对这类场景的复杂性。 注：在IEC 62435（所有部分）中“元器件”一词与裸片、晶圆、无源器件以及封装器件互换使用。

适用范围：本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。

适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。