GB/T 7576-2026 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范

ICS3108030

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T7576—2026

代替GB/T7576—1998GB/T7577—1996

,

半导体分立器件

大功率双极型晶体管空白详细规范

Discretesemiconductordevices—

Blankdetailspecificationforhighpowerbipolartransistors

2026-03-31发布2026-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T7576—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体器件分立器件第部分双极型晶体管第四篇高频

GB/T7576—1998《7:

放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范和低频放大管壳额定的双极型晶体管

》GB/T7577—1996《

空白详细规范文本件以为主整合了的内容与

》。GB/T7576—1998,GB/T7577—1996。GB/T7576—

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

1998,,:

增加了最大额定值中T和T下总输入功率要求见表

———C=25℃C=100℃(1);

删除了在规定的反向基极电压下的最高集电极发射极直流电压V在基极与发射极短路

———-()CEX、

时的最高集电极发射极直流电压V和在规定的外接电阻R下的最高集电极发射极直

-()CESBE-(

流电压V等与应用条件相关的参数见的表和的

)CER(GB/T7576—19984GB/T7577—1996

表

4);

增加了电参数曲线的条款见

———(4.3.3);

增加了筛选见

———(5.1);

删除了分组不能工作器件的测试见的表和的

———A2a(GB/T7576—19981GB/T7577—1996

表

1);

增加了分组的共基极输出电容的测试见表

———A3(4);

删除了的分组的共基极输出电容的测试见的表

———C2a(GB/T7576—19983)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院工业和信息化部电子第五研究所济南晶恒电子有

:、、

限责任公司西安环宇芯微电子有限公司国家国防科技工业局军工项目审核中心深圳市麦思浦半导

、、、

体有限公司青岛佳恩半导体有限公司深圳市信展通电子股份有限公司

、、。

本文件主要起草人曹赞周圣泽孙明闫美存侯秀萍卞岩戴俊夫田燕春王辉王丕龙周刚

:、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布年第一次修订

———GB/T7576,1987,1998;

年首次发布年第一次修订

———GB/T7577,1987,1996;

本次为第二次修订

———。

Ⅰ

GB/T7576—2026

半导体分立器件

大功率双极型晶体管空白详细规范

1范围

本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求试验条件和检验要求包装运输和贮存

、、、。

本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体分立器件型号命名方法

GB/T249

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:

环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GB/T2423.52:Ea:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则稳态加速度

GB/T2423.152:Ga:

环境试验第部分试验方法试验低气压

GB/T2423.212:M:

半导体分立器件第部分分规范

GB/T4023.1—20261:

半导体器件分立器件第部分双极型晶体管

GB/T4587—20237:

半导体器件第部分分立器件和集成电路总规范

GB/T4589.1—200610:

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.33:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分密封

GB/T4937.88:

半导体器件机械和气候试验方法第部分标志耐久性

GB/T4937.99:

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.1212:

半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾

GB/T4937.1313:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

GB/T4937.1414:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.1515:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GB/T4937.1919:

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GB/T4937.2222:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.23—202323:

半导体器件机械和气候试验方法第部分加速耐湿无偏置强加速应力

GB/T4937.2424:

试验

半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环

GB/T4937.2525:

半导体器件机械和气候试验方法第部分非密封表面安装器件在可靠性试

GB/T4937.3030:

验前的预处理

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