GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管

ICS31.080.30

CCSL40

中华人民共和国国家标准

/—

GBT45872023

代替/—

GBT45871994

半导体器件分立器件

:

第部分双极型晶体管

7

——:

SemiconductordevicesDiscretedevicesPart7Biolartransistors

p

(:,)

IEC60747-72019MOD

2023-09-07发布2024-04-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT45872023

目次

前言…………………………Ⅴ

引言…………………………Ⅷ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4文字符号…………………6

4.1概述…………………6

4.2补充下标……………6

4.3文字符号一览表……………………6

4.3.1概述……………6

4.3.2电压……………7

4.3.3电流……………7

4.3.4功率……………8

4.3.5电参数…………………………8

4.3.6频率参数………………………11

4.3.7开关参数………………………12

4.3.8损耗……………13

4.3.9其他参数………………………13

4.3.10配对双极型晶体管…………14

4.3.11电阻偏置晶体管……………14

5基本额定值和特性………………………14

5.1概述…………………14

5.2小信号晶体管………………………15

()………………

5.2.1额定值极限值15

5.2.2特性……………15

5.3线性功率晶体管……………………16

()………………

5.3.1额定值极限值16

5.3.2特性……………17

5.4放大和振荡用高频功率晶体管……………………18

()………………

5.4.1额定值极限值18

5.4.2特性……………18

5.5开关晶体管…………………………20

()………………

5.5.1额定值极限值20

Ⅰ

/—

GBT45872023

5.5.2特性……………21

5.6电阻偏置晶体管……………………24

()………………

5.6.1额定值极限值24

5.6.2特性……………24

6验证方法及测试方法……………………25

6.1概述…………………25

()………………………

6.2额定值极限值的验证方法25

6.2.1接收判据………………………25

集电极电流()………………

6.2.2I26

C

峰值集电极电流()………………………

6.2.3I26

CM

基极电流()…………………

6.2.4I27

B

峰值基极电流()…………

6.2.5I28

BM

集电极基极电压(、、、)……………………

6.2.6-VVVV28

CBOCBSCBRCBX

(、、、)、()………………

集电极发射极电压输出电压

6.2.7-VVVVV29

CEOCESCERCEXO

()、()……………………

发射极基极电压输入电压

6.2.8-VEBOVI30

6.2.9安全工作区……………………31

输出电流()………………

6.2.10I34

O

集电极发射极维持电压……………………

6.2.11-35

6.3特性的测试方法……………………36

6.3.1负载为感性时的开通时间和开通损耗………36

6.3.2负载为感性时的关断时间和关断损耗………38

()(、、、)…………………

集电极发射极截止电流直流法

6.3.3-IIII39

CEOCEXCESCER

()()………

集电极基极截止电流直流法

6.3.4-I40

CBO

()()………

发射极基极截止电流直流法

6.3.5-I40

EBO

集电极发射极饱和电压()……………

6.3.6-VCEsat40

基极发射极饱和电压()………………

6.3.7-VBEsat42

()()……………

基极发射极电压直流法

6.3.8-VBE43

6.3.9电容……………44

()………………

6.3.10混合参数小信号和大信号47

6.3.11热阻…………………………53

6.3.12负载为阻性时的开关时间…………………56

高频参数(,,)………………………

6.3.13fTy..es..58

噪声系数()…………………

6.3.14F66

6.3.15配对双极型晶体管的测试方法……………72

6.3.16电阻偏置晶体管的测试方法………………74

7接收和可靠性……………78

7.1一般要求……………78

Ⅱ

/—

GBT45872023

7.2特殊要求……………78

7.2.1耐久性试验一览表……………78

7.2.2耐久性试验条件………………78

7.2.3可靠性试验中判定接收的特性和接收判据…………………78

7.3耐久性和可靠性试验方法…………79

7.3.1高温反偏(HTRB)……………79

7.3.2间歇寿命试验…………………79

7.4型式试验和例行试验………………80

7.4.1型式试验………………………80

7.4.2例行试验………………………80

()……………………

附录资料性安全工作区的确定

A82

()…………………

附录资料性结构编号对照一览表

B84

Ⅲ

/—

GBT45872023

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

《》,《》:

本文件是半导体器件分立器件的第部分半导体器件分立器件已经发布了以下部分