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现行
译：T/NMRJ 080-2026 Technical requirements for condition detection of insulated-gate bipolar transistors （IGBTs）
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2026-05-18 | 实施时间： 2026-05-18
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现行
译：T/NMRJ 096-2026 Insulated gate bipolar transistor （IGBT） failure rate prediction guide
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2026-05-18 | 实施时间： 2026-05-18
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即将实施
译：GB/T 45716.1-2026 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
适用范围：本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-04-30 | 实施时间： 2026-11-01
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即将实施
译：GB/T 7576-2026 Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors
适用范围：本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。
本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-03-31 | 实施时间： 2026-10-01
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即将实施
译：GB/T 6217-2026 Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
适用范围：本文件规定了小功率双极型晶体管(以下简称器件)(包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双极型开关晶体管)的技术要求和质量保证规定。
本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-03-31 | 实施时间： 2026-10-01
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现行
译：SJ/T 12067-2025 Semiconductor devices, discrete devices, silicon carbide metal oxide semiconductor field-effect transistor specification for gate types
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-12-19 | 实施时间： 2026-07-01
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现行
译：SJ/T 12068-2025 Semiconductor devices; Divergent devices; Reliability test method for silicon carbide metal oxide semiconductor field-effect transistors
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-12-19 | 实施时间： 2026-07-01
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现行
译：SJ/T 12032-2025 Semiconductor devices - Discrete devices - Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor electrical parameter testing methods
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-09-09 | 实施时间： 2026-03-01
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现行
译：SJ/T 11974-2025 Electrical specification for isolation gate bipolar transistor (IGBT) module
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01
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现行
译：SJ/T 11975-2025 Power system insulation gate bipolar transistor (IGBT) specification for packaging and categories
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01
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现行
译：SJ/T 11973-2025 Electric vehicle (EV) insulation gate bipolar transistor (IGBT) module category specification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01
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现行
译：T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method
适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2024-12-23 | 实施时间： 2024-12-30
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现行
译：T/SZECC 001-2024 Electric vehicle-specific insulated gate bipolar transistor (IGBT) technical specifications
适用范围：主要技术内容:本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计、生产和应用
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：暂无
发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2024-10-29 | 实施时间： 2024-11-28
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现行
译：GB/T 4587-2023 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors
适用范围：本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-09-07 | 实施时间： 2024-04-01
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现行
译：SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11765-2020 Transistor low-frequency noise parameter testing method
适用范围：适用于双极型晶体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2020-12-09 | 实施时间： 2021-04-01
即将实施
即将实施
即将实施
现行