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T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法

T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/IAWBS 022-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40/49 半导体分立器件
国际标准分类号（ICS）
31.080.30 三极管
发布日期
2024-12-23
实施日期
2024-12-30
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件

发布历史

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研制信息

起草单位：
瑶芯微电子（上海）有限公司、西安电子科技大学、电子科技大学、厦门大学、株洲中车时代半导体有限公司、安徽工程大学
起草人：
顾晓健、贾仁需、王贵豹、陈开宇、邓小川、张峰、李诚瞻、钮应喜、林信南
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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