-
现行
译：GB/T 4587-2023 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors
适用范围：本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-09-07 | 实施时间： 2024-04-01
-
现行
译：GB/T 37660-2019 Technical specification of power electronic devices for high-voltage direct current(HVDC) transmission using voltage sourced converters(VSC)
适用范围：本标准规定了柔性直流输电用电力电子器件的术语和定义、额定值和特性、试验、标志和订货单。
本标准适用于柔性直流输电用IGBT-二极管对，柔性直流输电用其他类型的全控型电力电子器件也可参照执行。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2019-06-04 | 实施时间： 2020-01-01
-
现行
译：GB/T 21039.1-2007 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:Microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification
适用范围：本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2007-06-29 | 实施时间： 2007-11-01
-
现行
译：GB/T 6217-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section One-Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01
-
现行
译：GB/T 7576-1998 Semiconductor devices—Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section Four—Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01
-
现行
译：GB/T 6219-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01
-
废止
译：GB/T 17007-1997 Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-05 | 实施时间： 1998-08-01
-
废止
译：GB/T 17008-1997 Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-05 | 实施时间： 1998-08-01
-
现行
译：GB/T 6218-1996 Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01
-
现行
译：GB/T 16468-1996 Series programmes for static induction transistors
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01
-
现行
译：GB/T 7577-1996 Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01
-
现行
译：GB/T 12300-1990 Test methods of safe operating area for power transistors
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1990-01-10 | 实施时间： 1990-08-01
-
现行
译：GB/T 9432-1988 Blank detail specification for industrial heating tetrode
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L36收、发信管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1988-06-23 | 实施时间： 1989-02-01
-
现行
译：GB/T 6256-1986 Blank detail specification for industrial heating triodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1986-04-14 | 实施时间： 1987-04-01
现行
现行
现行
现行
现行
现行
废止
废止
现行
现行
现行
现行
现行
现行