GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号

GB/T17008一1997

健岁

前「1

本标准主要依据下列国际标准或标准草案而制订：

IEC/TC47(C0)1339绝缘栅双极型晶体管的概念

IEC/TC47(Sec)1251绝缘栅双极型晶体管的新概念和文字符号

IEC/TC47(Sec)1282绝缘栅双极型晶体管的额定值、特性和测试方法

IEC747-8第I章场效应晶体管的术语和文字符号

凡上述标准中被本标准采纳的术语和文字符号在技术内容上等效。本标准编写规则按等效采用了

国际导则的GB/T1.1-1993《标准化工作导则第1单元：标准的起草与表述规则第1部分：标准编

写的基本规定》。

这样，通过使我国标准内容和编写规则尽可能与国际一致或等同，以尽快适应国际贸易、技术和经

济交流以及采用国际标准飞跃发展的需要。

本标准由机械工业部提出。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。

本标准由机械部西安电力电子技术研究所负责起草。

本标准主要起草人：秦贤满。

中华人民共和国国家标准

绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号GB/T17008-1997

Terminologyandlettersymbols

forinsulated-gatebipolartransistor

范围

本标准规定了绝缘栅双极型晶体管(I（GBT）的类型、结构、额定值和特性的术语及通用文字符号。

本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。

2一般术语

2.1源区sourceregion

多数载流子流人沟道的起始区域。

2.2漏区drainregion

接收从沟道流出的多数载流子的区域。

2.3漏注人区draininjectorregion

位于场效应结构的漏区和漏极间并与漏区极性相反的半导体界面区。

注

1当主电流流动时，漏注人区注人漏区的附加少数载流一子使漏区电导增强。

2在实际器件制作中，IGBT的衬底起漏注人区的作用。

2.4栅区gateregion

与栅电极连接的，栅极控制电压产生的电场能起作用的仄域。

2.5沟道channel

在源区和漏区之间的半导体薄层，流经该薄层的电流受栅极电位控制。

2.6亚沟道区subcbannelregion

源区和漏区之间的区域。

注：一般，亚沟道区由两个不同掺杂部分组成，即形成沟道的轻掺杂部分和流过双极晶体管结构的集电极电流的重

掺杂部分。

2.7漏极drain

附于漏注人区上的电极。

2.8集电极端collectorterminal

连接漏极的端。

2.9源极source

附于源区和部分亚沟道区＿L:的电极，该部分亚沟道区流过双极晶体管结构的集电极电流。

2.10发射极端emitterterminal

连接源极的端。

2.11栅极gate

附于栅区上的电极。

国家技术监督局1997一10一05批准1998一08一01实施

GB/T17008一1997

2.12栅极端gateterminal

连接栅极的端。

2.13耗尽模式s作depletionmodeoperation

漏极电流值随栅极一源极电压从零变为限定值而减少的工作方式。

2.14增强模式工作enhancementmodeoperation

漏极电流值随栅极一源极电压从零变为限定值而增大的工作方式。

3类型

3.1绝缘栅双极型晶体管I（GBT)insulated-gatebipolartransistor

一种绝缘栅场效应晶体管：

具有“漏注人区，；’

源极与场效应结构的亚沟道区连接，使漏极和源极间形成双极晶体管结构；

当主电流流过时，漏注人区的作用如象双极晶体管结构的发射极一样向场效应结构的漏区注人少

数载流子，从而增强漏区的电导见（图1),

场效应晶体管｝集电极端双极晶体管

结构元件

结构元件

漏极

漏注人区发射区

漏区

基区

亚沟道区

沟道收集区

栅区源极

发射极端

栅极

栅极端

图1N沟道绝缘栅双极型晶体管增（强型）的结构

3.2N沟道绝缘栅双极型晶体管N-channelinsulated-gatebipolartransistor

具有一个或多个N型导电沟道的一种绝缘栅双极型晶体管。

3.3P沟道绝缘栅双极晶体管P-channelinsulated-gatebipolartransistor

具有一个或多个P型导电沟道的一种绝缘栅双极型晶体管。

3.4增强型绝缘栅双极型晶体管enhancementtypeinsulated-gatebipolartransistor

在栅极一源极电压为零时，沟道电导率接近于零，而施加适当极性的栅极一源极电压，可增加沟道电

导率的一种绝缘栅双极型晶体管。

3.5耗尽型绝缘栅双极型晶体管depletiontypeinsulate-gatebipolartransistor

在栅极一源极电压为零时，沟道电导率已可观，并随栅极一源极电压极性不同可增大或减小直至为零

的一种绝缘栅双极型晶体管。

4额定值

4.1栅极一发射极短路时集电极一发射极电压V（ces)collector-emittervoltagewithgate-emitter

short-circuited

GB/T17008一1997

在栅极一发射极短路和规定的集电极电流条件下，集电极端对发射极端的电压。

4.2集电极一发射极短路时栅极一发射极电压V（,(ES)gate-emittervoltagewithcollector-emitter

short-circuited

在集电极一发射极短路和规定的栅极电流条件下，栅极端对发射极端的电压。

4.3集电极直流电流(I,)continuouscollectordirectcurrent

IGBT完全开通并进人稳态后，流过集电极的直流电流。

4.4集电极重复峰值电流I（CBM)repetitivepeakcollectorcurrent

包括所有重复瞬态集电极电流的矩形脉冲集电极电流的最大值（峰值），此电流与壳温、脉冲宽度和

占空比有关。

4.5集电极不重复峰值电流I（GSM)non-repetitivepeakcollectorcurrent

由电路异常情况如（故障）引起、并一般使结温超过额定值的最大集电极电流（峰值），此电流与壳

温、脉冲宽度有关。

4.6总耗散功率P（to,)totalpowerdissipation

在规定的条件下，由集电极电流和栅极电流产生的耗散功率之和。

4.7等（效）结温(T;;T)(virtual)junctiontemperature

基于半导体器件的热电校准关系，通过电测量得到的结温。

4.8壳温管（壳额定IGBT的）(Tc)casetemperature(forcaseratedIGBTs)

在绝缘栅双极型晶体管管壳规定点测得的温度。

4.9贮存温度T（g)storagetemperature

通常值高于或等于最高额定结温、不施加任何电压存放器件的温度。

5特性

5.1栅极一发射极短路时集电极一发射极击穿电压V（csR,CES)collector-emitterbreakdownvoltagewith

gate-emittershort-circuited

在栅极一发射极短路和规定最小集电极电流的条件下，由于载流子倍增效应使增益接近于1时的集

电极端对发射极端的电压。

5.2集电极一发射极饱和电压V（cf,(a,))collector-emittersaturationvoltage

在规定的栅极电压和集电极电流的条件下，集电极端对发射极端的电压。

5.3栅极一发射极闭值电压(V(F;(th))gate-emitterthresholdvoltage

在规定的集电极一发射极电压和集电极电流条件下，IGBT进人开通初始时的栅极端对发射极端的

电压。

5.4集电极一发射极截止电流I（ces)collector-emittercut-offcurrent

在规定的集电极一发射极电压和栅极一发射极短路的条件下，流过集电极的电流。

5.5栅极一发射极漏电流I（GFs)gate-emitterleakagecurrent

在最大额定栅极一发射极电压和集电极一发射极短路的条件下，流过栅极一发射极结的电流。

5.6正向跨导g（m)forwardtransconductance

漏极一源极电压保持不变时，漏极电流增量对栅极一源极电压增量之比。

5.7输入电容C（;,9)inputcapacitance

在规定的偏置和频率条件下，集电极一栅极间的电容与栅极一发射极间的电容之和。

5.8输出电容C（..)outputcapacitance

在规定的偏置和频率条件下，集电极一栅极间的电容与集电极一发射极间的电容之和。

5.9反向传输电容C（re.)reversetransfercapacitance

在规定的偏置和频率条件下，集电极一栅极之间的电容。

GB/T17008一1997

5.10栅极电荷Q（ge)gatecharge

在规定的栅极一发射极电压、开通前集电极一发射极电压和开通后集电极电流条件下，栅极存在的电

荷。

5.11开通时间t（o)turn-ontime

从施加栅极一发射极电压脉冲初始值至集电极电流达到接近峰值的某一规定值之间的时间间隔。开

通时间由延迟时间和上升时间两部分组