GB/T 6217-2026 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范

ICS3108030

CCSL.42.

中华人民共和国国家标准

GB/T6217—2026

代替GB/T6217—1998GB/T6218—1996

,

半导体分立器件

小功率双极型晶体管空白详细规范

Discretesemiconductordevices—

Blankdetailspecificationforlowpowerbipolartransistors

2026-03-31发布2026-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T6217—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体器件分立器件第部分双极型晶体管第一篇高低

GB/T6217—1998《7:

频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范和开关用双极型晶体管空白详细

》GB/T6218—1996《

规范本文件以为主整合了的内容与相

》。GB/T6217—1998,GB/T6218—1996。GB/T6217—1998

比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,,:

增加了最大额定值中最高结温推荐值和见表

———150℃175℃(1);

增加了电特性中共发射极正向电流传输比的静态值常温较小电流典型电流较大电流等三个

———、、

电流测试条件的建议数值范围见表

(2);

增加了低温共发射极正向电流传输比的静态值见表表表及表

———(2、5、67);

删除了共发射极反向传输电容C和反向传输时间常数见的

———12e(GB/T6217—19985.16、5.17、

表

3);

增加了电参数曲线的条款见

———(4.3.3);

增加了筛选见

———(5.1);

删除了分组不能工作器件的测试见的表

———A2a(GB/T6217—19981);

增加了分组的共基极输出电容的测试见表

———A3(4);

删除了的分组的共基极输出电容的测试见的表

———C2a(GB/T6217—19983)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位济南晶恒电子有限责任公司北京中科新微特科技开发股份有限公司辽宁芯诺

:、、

电子科技有限公司中国电子技术标准化研究院朝阳微电子科技股份有限公司

、、。

本文件主要起草人侯秀萍卞岩侯杰崔同陶红玉张彦飞温霄霞刘梦新康婷婷张金稳

:、、、、、、、、、、

张秋韩冰冰

、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布年第一次修订

———GB/T6217,1986,1998;

年首次发布年第一次修订

———GB/T6218,1986,1996;

本次为第二次修订

———。

Ⅰ

GB/T6217—2026

半导体分立器件

小功率双极型晶体管空白详细规范

1范围

本文件规定了小功率双极型晶体管以下简称器件包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双

()(

极型开关晶体管的技术要求和质量保证规定

)。

本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体分立器件型号命名方法

GB/T249

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:

环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GB/T2423.52:Ea:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则稳态加速度

GB/T2423.152:Ga:

环境试验第部分试验方法试验低气压

GB/T2423.212:M:

半导体分立器件第部分分规范

GB/T4023.1—20261:

半导体器件分立器件第部分双极型晶体管

GB/T4587—20237:

半导体器件第部分分立器件和集成电路总规范

GB/T4589.1—200610:

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.33:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:

半导体器件机械和气候试验方法第部分密封

GB/T4937.88:

半导体器件机械和气候试验方法第部分标志耐久性

GB/T4937.99:

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.1212:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

GB/T4937.1414:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.1515:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GB/T4937.1919:

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GB/T4937.2222:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.23—202323:

半导体器件机械和气候试验方法第部分加速耐湿无偏置强加速应力

GB/T4937.2424:

试验

半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环

GB/T4937.2525:

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试人体

GB/T4937.2626:(ESD)

模型

(HBM)

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试机器

GB/T4937.2727:(ESD)

模型

(MM)

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