GB/T 249-2026 半导体分立器件型号命名方法

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T249—2026

代替GB/T249—2017

半导体分立器件型号命名方法

Ruleoftypedesignationfordiscretesemiconductordevices

2026-02-27发布2026-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T249—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半导体分立器件型号命名方法与相比除结构

GB/T249—2017《》,GB/T249—2017,

调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

增加了碳化硅氮化镓金刚石等化合物半导体器件的命名方法见表

a)、、(1);

增加了保护器件的命名见表

b)ESD(2);

增加了的型号命名见表

c)IGBT(2);

增加了数字晶体管的命名见表

d)(2)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院北京微电子技术研究所锦州辽晶电子科技股份有

:、、

限公司山东芯诺电子科技股份有限公司西安卫光科技有限公司西安环宇芯微电子有限公司国家国

、、、、

防科技工业局军工项目审核中心中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂

、()。

本文件主要起草人闫美存张秋马睿彤曹燕红高广亮陈浩麻欣朱海马裘国营陈骞

:、、、、、、、、、、

周建国李娜戴俊夫田燕春赵曜

、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订年第二次修订年第三次

———1964GB/T249—1964,1974,1989,2017

修订

;

本次为第四次修订

———。

Ⅰ

GB/T249—2026

半导体分立器件型号命名方法

1范围

本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法

。

本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件总则

GB/T17573—2026

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T17573—2026。

4型号组成原则

41半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下

.:

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用汉语拼音字

母表示规格号

用阿拉伯数字表示登记顺序号

用汉语拼音字母表示器件的类别

用汉语拼音字母表示器件的材料和极性

用阿拉伯数字表示器件的电极数目

42半导体分立器件的型号一般由第一部分第五部分组成也可由第三部分第五部分组成

.~,~。

5型号组成部分的符号及其意义

51由第一部分第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表

.~1。

1