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即将实施
译:GB/T 48164.2-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 2:Test method for bipolar degradation due to body diode operation
适用范围:本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC(silicon carbide)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。
硅功率晶体管通常不要求进行此试验。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
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即将实施
译:GB/T 48168-2026 Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
适用范围:本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
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即将实施
译:GB/T 20521.12-2026 Semiconductor devices—Part 14-12:Semiconductor sensors—Performance test methods for CMOS imager-based gas sensors
适用范围:本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。
本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
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即将实施
译:GB/T 48170-2026 Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor(GaN HEMT) based power conversion devices
适用范围:本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况:
a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件;
b) GaN集成功率芯片;
c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。
提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
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即将实施
译:GB/T 48164.1-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 1:Test method for bias temperature instability
适用范围:本文件描述了在高温下施加连续栅极-源极正电压应力后,在室温下评估SiC MOSFET的阈值电压漂移的试验方法。该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间(最长可达10 h),以此接受一定程度的阈值电压恢复现象。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
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现行
译:T/CEATEC 269-2026 " Test and evaluation method of temperature field uniformity in semiconductor manufacturing process chamber "
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L95/99电子工业生产设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-08-26 | 实施时间: 2026-08-26
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即将实施
译:GB/T 15879.618-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-18:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Design guide for ball grid array(BGA)
适用范围:本文件提供了引出端节距大于或等于1.00 mm且外形为方形的焊球阵列封装标准外形图、尺寸及推荐值。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
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即将实施
译:GB/T 15879.603-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-3:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Measuring methods for package dimensions of quad flat packs(QFP)
适用范围:本文件描述了封装外形分类形式E中的四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
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现行
译:T/CASME 2228-2026 Environmental adaptability requirements and test methods for plastic-encapsulated intelligent power module
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-07-24 | 实施时间: 2026-08-24
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现行
译:T/CNMN 156-2026 Technical specifications for multi-region light transmittance dynamic adjustment mask for semiconductors
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-07-14 | 实施时间: 2026-07-14
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现行
译:T/SZECC 006-2026 The reliability testing method for power semiconductors made of silicon carbide (SiC)
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-30 | 实施时间: 2026-06-30
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现行
译:T/CASAS 061-2026 Partial discharge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) power module
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-30 | 实施时间: 2026-06-30
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现行
译:T/TMAC 417-2026
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L97加工专用设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-01 | 实施时间: 2026-06-01
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现行
译:T/CAEE 067-2026 Evaluation specification for maturity of photoresist removal process technology
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-27 | 实施时间: 2026-05-27
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现行
译:T/CASMES 695-2026 General technical specification for high-precision thermoelectric temperature control systems
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-26 | 实施时间: 2026-05-31
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即将实施
译:GB/T 20521.1-2026 Semiconductor devices—Part 14-1:Semiconductor sensors—Generic specification for sensors
适用范围:本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。
本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L15敏感元器件及传感器
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01
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即将实施
译:GB/T 4937.201-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 20-1:Handling,packing,labelling and shipping of surface-mount devices sensitive to the combined effect of moisture and soldering heat
适用范围:本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。
本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。
IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。
注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01
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现行
译:T/CASMES 677-2026 General technical specifications for solid-state microwave generator
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-04-27 | 实施时间: 2026-04-30
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现行
译:T/GZBC 87-2026 Biomimetic infrared chip
适用范围:本文件规定了仿生红外芯片的术语和定义、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等内容。本文件适用于以仿生原理设计,用于红外信号发射、接收、转换的半导体芯片,不适用于集成后的终端整机产品。
《仿生红外芯片》规定了仿生红外芯片的术语和定义、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等内容。明确了模仿生物红外感知或发射机制(如蛇类颊窝器官、生物组织共振特性),实现红外信号探测、转换或定向发射的半导体器件的仿生红外芯片概念。涵盖仿生红外芯片的材料、外观与尺寸、性能指标、皮肤刺激性、生物安全性的技术要求。提出了红外波长与功率、发射率、面功率密度、超高频频率、成像性能、传感灵敏度、环境适应性、皮肤刺激性、生物安全性等的试验方法。明确出厂检验和型式检验以及判定规则。明确标识信息、包装运输及贮存等要求
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-04-13 | 实施时间: 2026-04-15
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现行
译:T/GZBC 88-2026 High-Speed Rotational Bionic Infrared Module
适用范围:本文件规定了高旋场仿生红外模组的技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输和贮存。
本文件适用于以生物共振半导体为主要材质设计、加工、生产及销售的高旋场仿生红外模组产品。
使用环境、外观、一般要求、噪声、安全性能:主要参照了通用家电及类似电器产品的国家标准,如GB 4706.1《家用和类似用途电器的安全 第1部分:通用要求》、GB/T 4214.1《家用和类似用途电器噪声测试方法 通用要求》等,以确保产品的基本安全与用户体验。
性能参数(启动电压、工作时间、芯片核数、旋转半径、光谱波长及功率、最大感测距离):这些核心指标是基于产品设计原理、大量实验室测试数据及市场主流产品的性能水平综合确定的。例如,“仿生红外芯片核数≥30核”、“有效光谱波长范围为640nm和880nm”等要求,旨在保证产品能够有效生成具有特定物理效应的涡旋红外波,是产品功能实现的基础。
开关耐久性、使用寿命:根据产品预期的使用频率和寿命目标设定,确保产品的可靠性和耐用性。
环境可靠性(高温、低温、湿热、振动、跌落):参照GB/T 2423系列电工电子产品环境试验标准,设定了严于常规使用环境的试验条件,以验证产品在运输、储存及各种使用场景下的稳定性
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-04-13 | 实施时间: 2026-04-15