19 试验
65 农业
77 冶金
  • T/CEATEC 315-2026 PCBA在线三维自动光学检测(3DAO0I)设备技术要求 现行
    译:T/CEATEC 315-2026 Technical requirements for PCBA online 3D automatic optical inspection (3D AOI) equipment
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-10-14 | 实施时间: 2026-10-14
  • T/CEATEC 314-2026 半导体先进封装高精度二维、三维自动光学检测(A0I)设备技术要求 现行
    译:T/CEATEC 314-2026 Technical requirements for high-precision 2D/3D automatic optical inspection equipment for advanced packaging
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-10-14 | 实施时间: 2026-10-14
  • T/CEATEC 316-2026 PCB蚀刻后线路图形在线自动光学检测(AOI)设备技术要求 现行
    译:T/CEATEC 316-2026 Technical requirements for inline automatic optical inspection equipment for PCB etched circuit pattern
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-10-14 | 实施时间: 2026-10-14
  • GB/T 48216.2-2026 半导体器件 通用鉴定指南 第2部分:可靠性鉴定中任务剖面的概念 即将实施
    译:GB/T 48216.2-2026 Semiconductor devices—Generic qualification guidelines—Part 2:Concept of mission profile in reliability qualification
    适用范围:本文件基于产品的工作环境条件和预定用途,给出了制定可靠性鉴定中任务剖面的概念及计算方法的指南。 本文件适用于非军事和非航天航空的相关应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-09-28 | 实施时间: 2027-04-01
  • GB/T 48164.2-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起双极退化的试验方法 即将实施
    译:GB/T 48164.2-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 2:Test method for bipolar degradation due to body diode operation
    适用范围:本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC(silicon carbide)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。 硅功率晶体管通常不要求进行此试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 48168-2026 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法 即将实施
    译:GB/T 48168-2026 Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
    适用范围:本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 20521.12-2026 半导体器件 第14-12部分:半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法 即将实施
    译:GB/T 20521.12-2026 Semiconductor devices—Part 14-12:Semiconductor sensors—Performance test methods for CMOS imager-based gas sensors
    适用范围:本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。 本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 48170-2026 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南 即将实施
    译:GB/T 48170-2026 Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor(GaN HEMT) based power conversion devices
    适用范围:本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况: a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件; b) GaN集成功率芯片; c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。 提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 48164.1-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法 即将实施
    译:GB/T 48164.1-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 1:Test method for bias temperature instability
    适用范围:本文件描述了在高温下施加连续栅极-源极正电压应力后,在室温下评估SiC MOSFET的阈值电压漂移的试验方法。该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间(最长可达10 h),以此接受一定程度的阈值电压恢复现象。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • T/CEATEC 269-2026 半导体制造工艺腔室温度场均匀性测试与评价方法 现行
    译:T/CEATEC 269-2026 " Test and evaluation method of temperature field uniformity in semiconductor manufacturing process chamber "
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L95/99电子工业生产设备
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-08-26 | 实施时间: 2026-08-26
  • GB/T 15879.618-2026 半导体器件的机械标准化 第6-18部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列封装(BGA)的设计指南 即将实施
    译:GB/T 15879.618-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-18:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Design guide for ball grid array(BGA)
    适用范围:本文件提供了引出端节距大于或等于1.00 mm且外形为方形的焊球阵列封装标准外形图、尺寸及推荐值。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 15879.603-2026 半导体器件的机械标准化 第6-3部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法 即将实施
    译:GB/T 15879.603-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-3:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Measuring methods for package dimensions of quad flat packs(QFP)
    适用范围:本文件描述了封装外形分类形式E中的四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2027-02-01
  • T/CASME 2228-2026 塑封型智能功率模块环境适应性要求及试验方法 现行
    译:T/CASME 2228-2026 Environmental adaptability requirements and test methods for plastic-encapsulated intelligent power module
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-07-24 | 实施时间: 2026-08-24
  • T/CNMN 156-2026 半导体用多区域透光率动态调节掩模版技术规范 现行
    译:T/CNMN 156-2026 Technical specifications for multi-region light transmittance dynamic adjustment mask for semiconductors
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-07-14 | 实施时间: 2026-07-14
  • T/SZECC 006-2026 碳化硅(SiC)功率半导体可靠性测试方法 现行
    译:T/SZECC 006-2026 The reliability testing method for power semiconductors made of silicon carbide (SiC)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L90/94电子设备与专用材料、零件、结构件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-30 | 实施时间: 2026-06-30
  • T/CASAS 061-2026 SiC MOSFET功率模块局部放电试验方法 现行
    译:T/CASAS 061-2026 Partial discharge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) power module
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-30 | 实施时间: 2026-06-30
  • T/TMAC 417-2026 中束流离子注入机能量精度控制技术规范 现行
    译:T/TMAC 417-2026
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L97加工专用设备
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-06-01 | 实施时间: 2026-06-01
  • T/CAEE 067-2026 光刻胶去除工艺技术成熟度评价规范 现行
    译:T/CAEE 067-2026 Evaluation specification for maturity of photoresist removal process technology
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-27 | 实施时间: 2026-05-27
  • T/CASMES 695-2026 高精度热电温控系统通用技术规范 现行
    译:T/CASMES 695-2026 General technical specification for high-precision thermoelectric temperature control systems
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-05-26 | 实施时间: 2026-05-31
  • GB/T 20521.1-2026 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器 传感器总规范 现行
    译:GB/T 20521.1-2026 Semiconductor devices—Part 14-1:Semiconductor sensors—Generic specification for sensors
    适用范围:本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。 本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L15敏感元器件及传感器
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-04-30 | 实施时间: 2026-11-01