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T/ACCEM 515-2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件

T/ACCEM 515-2025 High-performance, high-density trench gate IGBT device

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/ACCEM 515-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L 电子元器件与信息技术
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2025-03-20
实施日期
2025-04-18
发布单位/组织
-
归口单位
中国商业企业管理协会
适用范围
主要技术内容:本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验

发布历史

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研制信息

起草单位：
青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司
起草人：
王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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