GB/T 45722-2025 半导体器件恒流电迁移试验

GB/T 45722-2025 Semiconductor devices—Constant current electromigration test

国家标准中文简体现行页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 45722-2025

发布历史

2025年05月

GB/T 45722-2025　半导体器件恒流电迁移试验

当前标准现行 2025-05-30

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研制信息

起草单位：: 工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市威兆半导体股份有限公司、深圳市诚芯微科技股份有限公司、广东工业大学、中绍宣标准科技集团有限公司、深圳市天成照明有限公司

起草人：: 章晓文、林晓玲、游海龙、周斌、尹丽晶、贺致远、来萍、张战刚、雷登云、王铁羊、孟苓辉、陈义强、彭浩、李伟聪、曹建林、崔从俊、林坚耿

出版信息：: 页数：16页 | 字数：15 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T45722—2025/IEC624152010

半导体器件恒流电迁移试验

Semiconductordevices—Constantcurrentelectromigrationtest

IEC624152010IDT

(:,)

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T45722—2025/IEC624152010

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和符号

3、…………………………1

背景

4………………………2

样本量

5……………………2

测试结构

6…………………2

试验条件

7…………………3

失效判据

8…………………

定制服务

关联标准

采用标准

IEC 62415:2010

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