适用范围：本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。 本文件适用于半导体PN结温度传感器，描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

适用范围：无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验，在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封）或外部保护材料和金属导体的交接面。 本文件适用于确认封装内部失效机理，为破坏性试验。

适用范围：本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。 本方法为强加速试验，是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置，以确保潜在的失效机理不能由偏置造成（例如电化学腐蚀)。 本试验用于确定封装内部的失效机理，是一种破坏性试验。 注：本方法是对1996年版IEC 60749中第3章的4c条的试验重新编写（无偏置电压)。

适用范围：本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。 本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

适用范围：本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法。本方法可能不能满足有特定需求的应用(如：军用、航天等)，在合适的要求或采购文件中规定补充要求。 本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件(如：方形扁平无引线和球栅阵列器件、倒装芯片凸点引出端)，由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润。 使用本文件时，同时满足第7章的报告要求。

适用范围：本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法，包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。 注1： 高压半导体器件也会产生单粒子效应，包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-4。 注2： 除高能中子外，能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-5。

适用范围：本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力（破坏性）试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度，本试验方法可用作生产线非破坏性的100%筛选试验，用以检测和剔除构成单元机械强度低于正常值的器件。 除另有规定外，本文件条款与IEC 60068-2-7一致。

适用范围：本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。 本试验是破坏性试验。 本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。 本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。 闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。

适用范围：本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法，分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。 为了全面表征带存储半导体器件的软错误特性，还需要依照其他试验方法开展宽能谱高能中子和热中子试验。 本试验方法适用于所有带存储的半导体器件。

适用范围：本文件描述了确定半导体器件、元件及电路板组件承受由极限高温和极限低温交变作用引发机械应力的能力。该机械应力能导致其电性能或物理性能发生永久性变化。 本文件总体符合IEC 60068-2-14，但由于半导体器件的特殊要求，使用本文件的条款。 本试验方法可采用单箱法、两箱法和三箱法，用于单个元器件和焊点互连的温度循环试验。进行单箱法温度循环时，负载置于固定的试验箱内，试验箱内引入热空气、周围空气或冷空气，加热或冷却负载。进行两箱法温度循环时，负载置于可移动平台，该平台在两个维持设定温度的固定试验箱之间移动。进行三箱法温度循环时，负载在三个试验箱之间移动。

适用范围：本文件规定了半导体致冷器件致冷功率与致冷系数的测试方法的术语和定义、原理、环境试试条件、试剂和材料、测试设备、样品、实验步骤、试验数据处理、精密度和试验报告。 本文件适用于平板式半导体致冷器件在热面工况温度233 K ~ 400 K范围内的致冷功率与致冷系数测试，其他类型的半导体致冷性能或者其他温度工况下的性能测试可以参考使用。 本文件规定了半导体致冷器件致冷功率与致冷系数的测试方法的术语和定义、原理、环境试试条件、试剂和材料、测试设备、样品、实验步骤、试验数据处理、精密度和试验报告。 本文件适用于平板式半导体致冷器件在热面工况温度233 K ~ 400 K范围内的致冷功率与致冷系数测试，其他类型的半导体致冷性能或者其他温度工况下的性能测试可以参考使用

适用范围：本文件规定了基于集成电路用高性能晶圆的生产流程、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于直拉法制造的、用于先进集成电路制造的硅单晶抛光片（以下简称“晶圆”），主要应用于逻辑、存储等高性能计算芯片的制造。其他半导体材料（如SiC、GaN）或用于其他领域的晶圆可参照使用

适用范围：本文件规定了智能设备用电源管理芯片的技术要求、性能参数要求、可靠性要求、封装与引脚要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于智能手机、平板电脑、智能可穿戴设备（如智能手表、手环、AR/VR眼镜）、物联网终端模块、智能家居控制器等由电池供电的便携式及固定式智能终端设备

适用范围：本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。 本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

适用范围：本文件描述了空腔器件内存在自由粒子的检测方法，如陶瓷碎片、残余键合引线或焊料球（金属颗粒)。 本试验是非破坏性试验。

适用范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤

适用范围：本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：本文件规定了柔性OLED显示屏封装的技术要求、检测方法。 本文件适用于柔性OLED显示屏的封装设计、材料选择、生产工艺、检测方法及相关的环境保护要求，适用于各类柔性OLED显示屏的生产企业、研发机构及相关检测机构。 本文件规定了柔性OLED显示屏封装的技术要求、检测方法。 本文件适用于柔性OLED显示屏的封装设计、材料选择、生产工艺、检测方法及相关的环境保护要求，适用于各类柔性OLED显示屏的生产企业、研发机构及相关检测机构

适用范围：主要技术内容:本文件规定了母线测温传感器的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。本文件适用于母线测温传感器的生产和使用